|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
М. Л. Орлов, Л. К. Орлов, “Особенности транспорта электронов в двумерных квантовых сверхрешетках с неассоциативным законом дисперсии”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 241–250   ; M. L. Orlov, L. K. Orlov, “Features of electron transport in two-dimensional quantum superlattices with the non-associative dispersion law”, Semiconductors, 55:3 (2021), 319–327 |
|
2018 |
| 2. |
М. Л. Орлов, Н. С. Волкова, Н. Л. Ивина, Л. К. Орлов, “Электрополевое поведение резонансных особенностей в туннельной составляющей фототока в гетероструктурах InAs(QD)/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1006–1014 ; M. L. Orlov, N. S. Volkova, N. L. Ivina, L. K. Orlov, “Electric-field behavior of the resonance features of the tunneling photocurrent component in InAs(QD)/GaAs heterostructures”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1129–1136 |
2
|
|
2016 |
| 3. |
Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, М. Л. Орлов, В. В. Цыпленков, H.-W. Hübers, N. Dessmann, Д. В. Козлов, В. Н. Шастин, “Поглощение и излучение в терагерцовом диапазоне частот при фотоионизации акцепторов в одноосно-деформированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1479–1483 ; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, M. L. Orlov, V. V. Tsyplenkov, H.-W. Hübers, N. Dessmann, D. V. Kozlov, V. N. Shastin, “Terahertz absorption and emission upon the photoionization of acceptors in uniaxially stressed silicon”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1458–1462 |
|
Обратная связь: