|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. С. Газизулина, А. А. Насиров, А. А. Небесный, П. Б. Парчинский, D. Kim, “Анизотропия отрицательного магнетосопротивления в эапитаксиальных слоях GaMnAs”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 159–163   ; A. S. Gazizulina, A. A. Nasirov, A. A. Nebesniy, P. B. Parchinskiy, D. Kim, “Anisotropy of negative magnetoresistance in GaMnAs epitaxial layers”, Semiconductors, 55:2 (2021), 214–218 |
3
|
|
2019 |
| 2. |
М. М. Халиллоев, Б. О. Жаббарова, А. А. Насиров, “Влияние формы канала на амплитуду случайных телеграфных шумов в подпороговой области беспереходного FinFET-транзистора”, Письма в ЖТФ, 45:24 (2019), 29–32 ; M. M. Khalilloev, B. O. Jabbarova, A. A. Nasirov, “The influence of fin shape on the amplitude of random telegraph noise in the subthreshold regime of a junctionless FinFET”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1245–1248 |
2
|
|
Обратная связь: