Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 24, страницы 29–32
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.24.48799.18024 (Mi pjtf5238) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Влияние формы канала на амплитуду случайных телеграфных шумов в подпороговой области беспереходного FinFET-транзистора

М. М. Халиллоевa, Б. О. Жаббароваa, А. А. Насировb

a Ургенчский государственный университет, Ургенч, Узбекистан
b Национальный университет Узбекистана имени Мирзо Улугбека, Ташкент
PDF полного текста (107 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.24.48799.18024
Аннотация: Моделируется зависимость амплитуды случайного телеграфного шума от прироста напряжения на затворе над пороговым для беспереходного вертикального полевого транзистора, изготовленного по технологии “кремний на изоляторе”, с поперечным сечением канала в форме прямоугольника и трапеции. Показано, что в подпороговой области амплитуда шума для транзистора с трапецеидальным поперечным сечением заметно меньше, чем для транзистора с прямоугольным сечением. Помимо этого при одинаковых условиях амплитуда шума при пороговом напряжении на затворе существенно меньше в беспереходном вертикальном транзисторе, чем в планарном, полностью обедненном вертикальном и обычном вертикальном полевом транзисторах.
Ключевые слова: случайный телеграфный шум, беспереходный FinFET-транзистор, граничный ловушечный заряд, плотность тока стока.
Поступила в редакцию: 03.09.2019
Исправленный вариант: 03.09.2019
Принята в печать: 17.09.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 12, Pages 1245–1248
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019120216
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. М. Халиллоев, Б. О. Жаббарова, А. А. Насиров, “Влияние формы канала на амплитуду случайных телеграфных шумов в подпороговой области беспереходного FinFET-транзистора”, Письма в ЖТФ, 45:24 (2019), 29–32; Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1245–1248
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhaJabNas19}
\by М.~М.~Халиллоев, Б.~О.~Жаббарова, А.~А.~Насиров
\paper Влияние формы канала на амплитуду случайных телеграфных шумов в подпороговой области беспереходного FinFET-транзистора
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 24
\pages 29--32
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5238}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.24.48799.18024}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41848516}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 12
\pages 1245--1248
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019120216}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5238
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i24/p29
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:34
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024