|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Влияние формы канала на амплитуду случайных телеграфных шумов в подпороговой области беспереходного FinFET-транзистора
М. М. Халиллоевa, Б. О. Жаббароваa, А. А. Насировb a Ургенчский государственный университет, Ургенч, Узбекистан
b Национальный университет Узбекистана имени Мирзо Улугбека, Ташкент
Аннотация:
Моделируется зависимость амплитуды случайного телеграфного шума от прироста напряжения на затворе над пороговым для беспереходного вертикального полевого транзистора, изготовленного по технологии “кремний на изоляторе”, с поперечным сечением канала в форме прямоугольника и трапеции. Показано, что в подпороговой области амплитуда шума для транзистора с трапецеидальным поперечным сечением заметно меньше, чем для транзистора с прямоугольным сечением. Помимо этого при одинаковых условиях амплитуда шума при пороговом напряжении на затворе существенно меньше в беспереходном вертикальном транзисторе, чем в планарном, полностью обедненном вертикальном и обычном вертикальном полевом транзисторах.
Ключевые слова:
случайный телеграфный шум, беспереходный FinFET-транзистор, граничный ловушечный заряд, плотность тока стока.
Поступила в редакцию: 03.09.2019 Исправленный вариант: 03.09.2019 Принята в печать: 17.09.2019
Образец цитирования:
М. М. Халиллоев, Б. О. Жаббарова, А. А. Насиров, “Влияние формы канала на амплитуду случайных телеграфных шумов в подпороговой области беспереходного FinFET-транзистора”, Письма в ЖТФ, 45:24 (2019), 29–32; Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1245–1248
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5238 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i24/p29
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 34 | PDF полного текста: | 12 |
|