|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, Е. А. Емельянов, А. В. Ненашев, М. Ю. Есин, А. В. Васев, М. А. Путято, Д. Б. Богомолов, А. К. Гутаковский, В. В. Преображенский, “Формирование InAs/GaP-гетероструктур с квантовыми ямами на подложках кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 139–146   ; D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, E. A. Emelyanov, A. V. Nenashev, M. Yu. Yesin, A. V. Vasev, M. A. Putyato, D. B. Bogomolov, A. K. Gutakovskii, V. V. Preobrazhenskii, “Formation of InAs/GaP heterostructures with quantum wells on silicon substrates by molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 55:2 (2021), 194–201 |
4
|
|
Обратная связь: