|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
О. О. Маматкаримов, О. Химматкулов, И. Г. Турсунов, “Тензостимулированный эффект в легированном и термообработанном кремнии при ориентированной деформации”, Физика твердого тела, 63:5 (2021), 602–605   ; O. O. Mamatkarimov, O. Khimmatkulov, I. G. Tursunov, “Tensostimulated effect in a doped and heat-treated silicon at an oriented deformation”, Phys. Solid State, 63:5 (2021), 738–741 |
|
2020 |
| 2. |
О. О. Маматкаримов, О. Химматкулов, И. Г. Турсунов, “Влияние одноосной упругой деформации на вольт-амперную характеристику поверхностно-барьерных диодов
Sb–$p$-Si$\langle$Mn$\rangle$–Au”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 466–469 ; O. O. Mamatkarimov, O. Khimmatkulov, I. G. Tursunov, “Effect of uniaxial elastic deformation on the current–voltage characteristic of surface-barrier Sb–$p$-Si$\langle$Mn$\rangle$–Au diodes”, Semiconductors, 54:5 (2020), 563–566 |
2
|
|
2018 |
| 3. |
С. Зайнабидинов, И. Г. Турсунов, О. Химматкулов, “Влияние изотропного давления на вольт-амперную характеристику поверхностно-барьерных диодов Sb–$p$-Si$\langle$Mn$\rangle$–Au”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 896–899 ; S. Zaynabidinov, I. G. Tursunov, O. Khimmatkulov, “Influence of isotropic pressure on the current–voltage characteristics of surface-barrier diodes Sb–$p$-Si$\langle$Mn$\rangle$–Au”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1027–1030 |
2
|
|
Обратная связь: