|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
М. С. Удинцева, А. В. Ефремов, Д. Смирнов, А. Макарова, С. В. Наумов, С. Н. Шамин, В. Р. Галахов, “Электронные состояния ионов кобальта в слоистых кобальтитах EuBaCo${_2}$O$_{5+ \delta}$”, Письма в ЖЭТФ, 114:8 (2021), 546–550  ; M. S. Udintseva, A. V. Efremov, D. Smirnov, A. Makarova, S. V. Naumov, S. N. Shamin, V. R. Galakhov, “Electronic states of cobalt ions in eubaco2o5 + δ layered cobaltites”, JETP Letters, 114:8 (2021), 475–478   |
4
|
|
2019 |
| 2. |
Г. Ю. Васильева, Д. Смирнов, Ю. Б. Васильев, А. А. Грешнов, R. J. Haug, “Краевое легирование в графеновых приборах на подложках SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1681–1685  ; G. Yu. Vasil'eva, D. Smirnov, Yu. B. Vasil'ev, A. A. Greshnov, R. J. Haug, “Edge doping in graphene devices on SiO$_{2}$ substrates”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1672–1676 |
1
|
|
|
|
2020 |
| 3. |
S. P. Lebedev, I. A. Eliseyev, V. N. Panteleev, P. A. Dementev, V. V. Shnitov, M. K. Rabchinskii, D. A. Smirnov, A. V. Zubov, A. A. Lebedev, “Comparative study of conventional and quasi-freestanding epitaxial graphenes grown on 4$H$-SiC substrate”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1383 ; Semiconductors, 54:12 (2020), 1657–1660 |
|
Обратная связь: