|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
В. В. Козловский, А. А. Лебедев, А. М. Стрельчук, К. С. Давыдовская, А. Э. Васильев, Л. Ф. Макаренко, “Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев $n$-4$H$-SiC (CVD)”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 311–316   ; V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, A. M. Strel'chuk, K. S. Davydovskaja, A. È. Vasil'ev, L. F. Makarenko, “Effect of the energy of bombarding electrons on the conductivity of $n$-4$H$-SiC (CVD) epitaxial layers”, Semiconductors, 51:3 (2017), 299–304 |
3
|
|
2016 |
| 2. |
Е. А. Левчук, Л. Ф. Макаренко, “Управление электронными состояниями мелкого донора при помощи металлического затвора конечных размеров”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 89–96 ; E. A. Levchuk, L. F. Makarenko, “On controlling the electronic states of shallow donors using a finite-size metal gate”, Semiconductors, 50:1 (2016), 89–96 |
1
|
|
1984 |
| 3. |
В. Д. Ткачев, Л. Ф. Макаренко, В. П. Маркевич, Л. И. Мурин, “Перестраивающиеся термодоноры в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 526–531 |
|
Обратная связь: