|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
П. А. Иванов, Н. М. Лебедева, Н. Д. Ильинская, Т. П. Самсонова, О. И. Коньков, “Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC диоды с прямой фаской”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 349–353   ; P. A. Ivanov, N. M. Lebedeva, N. D. Il'inskaya, T. P. Samsonova, O. I. Kon'kov, “High-voltage 4$H$-SiC based avalanche diodes with a negative beve”, Semiconductors, 55:4 (2021), 405–409 |
| 2. |
П. А. Иванов, Н. М. Лебедева, Н. Д. Ильинская, М. Ф. Кудояров, Т. П. Самсонова, О. И. Коньков, Ю. М. Задиранов, “Высоковольтные 4$H$-SiC диоды Шоттки с полевой обкладкой”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 188–194 ; P. A. Ivanov, N. M. Lebedeva, N. D. Il'inskaya, M. F. Kudoyarov, T. P. Samsonova, O. I. Kon'kov, Yu. M. Zadiranov, “High-voltage 4$H$-SiC Schottky diodes with field-plate edge termination”, Semiconductors, 55:2 (2021), 243–249 |
2
|
|
2020 |
| 3. |
В. В. Шпейзман, В. И. Николаев, А. О. Поздняков, А. В. Бобыль, Р. Б. Тимашов, А. И. Аверкин, С. Е. Никитин, О. И. Коньков, Г. Г. Шелопин, Е. И. Теруков, А. В. Нащекин, “Влияние текстурирования поверхности пластин кремния для солнечных фотопреобразователей на их прочностные свойства”, ЖТФ, 90:7 (2020), 1168–1174 ; V. V. Shpeyzman, V. I. Nikolaev, A. O. Pozdnyakov, A. V. Bobyl', R. B. Timashov, A. I. Averkin, S. E. Nikitin, O. I. Kon'kov, G. G. Shelopin, E. I. Terukov, A. V. Nashchekin, “The effect of texturing of silicon wafer surfaces for solar photoelectric transducers on their strength properties”, Tech. Phys., 65:7 (2020), 1123–1129 |
6
|
| 4. |
Н. Д. Ильинская, Н. М. Лебедева, Ю. М. Задиранов, П. А. Иванов, Т. П. Самсонова, О. И. Коньков, А. С. Потапов, “Микропрофилирование 4$H$-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 97–102 ; N. D. Il'inskaya, N. M. Lebedeva, Yu. M. Zadiranov, P. A. Ivanov, T. P. Samsonova, O. I. Kon'kov, A. S. Potapov, “Micro-profiling of 4$H$-SiC by dry etching to form a Schottky barrier diode”, Semiconductors, 54:1 (2020), 144–149 |
3
|
|
2018 |
| 5. |
П. А. Иванов, О. И. Коньков, Т. П. Самсонова, А. С. Потапов, “Высоковольтные (1600 V) размыкатели тока с субнаносекундным (150 ps) быстродействием на основе 4$H$-SiC”, Письма в ЖТФ, 44:3 (2018), 3–8 ; P. A. Ivanov, O. I. Kon'kov, T. P. Samsonova, A. S. Potapov, “4$H$-SiC based subnanosecond (150 ps) high-voltage (1600 V) current breakers”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 87–89 |
9
|
|
1992 |
| 6. |
О. И. Коньков, И. Н. Трапезникова, М. П. Власенко, Е. И. Теруков, Г. Н. Виолина, “Влияние температурного отжига на свойства пленок $\alpha$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H (${0<x\leqslant1}$)”, Физика твердого тела, 34:1 (1992), 326–328  |
|
Обратная связь: