Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Васильев В К

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 4
Научных статей: 4

Статистика просмотров:
Эта страница:39
Страницы публикаций:192
Полные тексты:75

https://www.mathnet.ru/rus/person169355
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2020
1. А. В. Антонов, А. И. Елькинa, В. К. Васильев, М. А. Галин, Д. В. Мастеров, А. Н. Михайлов, С. В. Морозов, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, Д. И. Тетельбаум, С. С. Уставщиков, П. А. Юнин, Д. А. Савинов, “Экспериментальное наблюдение $s$-компоненты сверхпроводящего спаривания в тонких неупорядоченных пленках ВТСП на основе YBCO”, Физика твердого тела, 62:9 (2020),  1434–1439  mathnet  elib; A. V. Antonov, A. I. Elkina, V. K. Vasil'ev, M. A. Galin, D. V. Masterov, A. N. Mikhaylov, S. V. Morozov, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, D. I. Tetelbaum, S. S. Ustavshchikov, P. A. Yunin, D. A. Savinov, “Experimental observation of $s$-component of superconducting pairing in thin disordered HTSC films based on YBCO”, Phys. Solid State, 62:9 (2020), 1598–1603 3
2016
2. Д. С. Королев, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, В. К. Васильев, Д. В. Гусейнов, Е. В. Окулич, А. А. Шемухин, С. И. Суродин, Д. Е. Николичев, А. В. Нежданов, А. В. Пирогов, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, “Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  274–278  mathnet  elib; D. S. Korolev, A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, V. K. Vasil'ev, D. V. Guseinov, E. V. Okulich, A. A. Shemukhin, S. I. Surodin, D. E. Nikolichev, A. V. Nezhdanov, A. V. Pirogov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, “Layer-by-layer composition and structure of silicon subjected to combined gallium and nitrogen ion implantation for the ion synthesis of gallium nitride”, Semiconductors, 50:2 (2016), 271–275 7
1984
3. В. К. Васильев, В. Н. Новожилов, П. В. Павлов, “Резистометрический метод исследования кинетики процессов ионной имплантации”, ЖТФ, 54:11 (1984),  2263–2266  mathnet  isi
4. В. К. Васильев, О. Н. Горшков, Ю. А. Данилов, В. С. Туловчиков, “Исследование низкоуровневых нарушений в имплантированных монокристаллах InSb методом характеристического рентгеновского излучения”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  189–191  mathnet
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024