|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, “Vacancy-phosphorus complexes in electron-irradiated floating-zone $n$-type silicon: new points in annealing studies”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 45   ; Semiconductors, 54:1 (2020), 46–54 |
1
|
|
2019 |
| 2. |
А. А. Лебедев, И. П. Никитина, Н. В. Середова, Н. К. Полетаев, С. П. Лебедев, В. В. Козловский, А. В. Зубов, “Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в $n$-3$C$-SiC”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 28–30 ; A. A. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, N. K. Poletaev, S. P. Lebedev, V. V. Kozlovskii, A. V. Zubov, “A study of the influence exerted by structural defects on photoluminescence spectra in $n$-3$C$-SiC”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 557–559 |
3
|
|
2018 |
| 3. |
V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, D. S. Poloskin, G. A. Oganesyan, “Interaction rates of group-III and group-V impurities with intrinsic point defects in irradiated Si and Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1578 ; Semiconductors, 52:13 (2018), 1677–1685 |
1
|
|
2017 |
| 4. |
V. V. Emtsev, V. V. Kozlovski, D. S. Poloskin, G. A. Oganesyan, “Radiation-produced defects in germanium: experimental data and models of defects”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1632–1646 ; Semiconductors, 51:12 (2017), 1571–1587 |
3
|
|
2016 |
| 5. |
V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovskii, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, “Some challenging points in the identification of defects in floating-zone $n$-type silicon irradiated with 8 and 15 Mev protons”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1313–1319 ; Semiconductors, 50:10 (2016), 1291–1298 |
8
|
|
1992 |
| 6. |
Е. Н. Мохов, Е. Д. Горнушкина, В. А. Дидик, В. В. Козловский, “Диффузия фосфора в карбиде кремния”, Физика твердого тела, 34:6 (1992), 1956–1958  |
|
1984 |
| 7. |
В. В. Козловский, В. Н. Ломасов, “Перераспределение заряженной примеси в полупроводнике в условиях
протонно-стимулированной диффузии”, ЖТФ, 54:6 (1984), 1157–1162 |
| 8. |
В. В. Козловский, В. Н. Ломасов, Г. М. Гурьянов, А. П. Коварский, “Протонно-стимулированная диффузия сурьмы в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984), 958–960 |
| 9. |
В. В. Козловский, В. Н. Ломасов, “Влияние поверхности на радиационное дефектообразование
в кремнии при высокотемпературном протонном облучении”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984), 956–958 |
|
Обратная связь: