|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
A. E. Atamuratov, M. Khalilloev, A. Abdikarimov, Z. A. Atamuratova, M. Kittler, R. Granzner, F. Schwierz, “Simulation of DIBL effect in junctionless SOI MOSFETs with extended gate”, Наносистемы: физика, химия, математика, 8:1 (2017), 75–78   |
| 2. |
A. E. Atamuratov, A. Abdikarimov, M. Khalilloev, Z. A. Atamuratova, R. Rahmanov, A. Garcia-Loureiro, A. Yusupov, “Simulation of DIBL effect in 25 nm SOIFinFET with the different body shapes”, Наносистемы: физика, химия, математика, 8:1 (2017), 71–74 |
1
|
|
2015 |
| 3. |
A. E. Atamuratov, U. A. Aminov, Z. A. Atamuratova, M. Halillaev, A. Abdikarimov, H. R. Matyakubov, “The lateral capacitance of nanometer MNOSFET with a single charge trapped in oxide layeror at SiO$_2$ – Si$_3$N$_4$ interfaceat”, Наносистемы: физика, химия, математика, 6:6 (2015), 837–842  |
|
Обратная связь: