|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
В. Кажукаускас, Р. Гарбачаускас, С. Савицки, “Электрически активные состояния захвата и переноса заряда, обусловливающие медленную рекомбинацию в кристаллах бромида таллия при низких температурах”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 171–176   ; V. Kazhukauskas, R. Garbačauskas, S. Savicki, “Electrically active states of charge capture and transfer causing slow recombination in thallium-bromide crystals at low temperatures”, Semiconductors, 52:2 (2018), 160–164 |
2
|
|
1986 |
| 2. |
Р. Балтрамеюнас, Д. Велецкас, И. Каптураускас, В. Кажукаускас, Ю. Стораста, “Нелинейная рефракция и изменение холловской подвижности в сильно
возбужденных кристаллах CdSe”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1243–1247 |
|
Обратная связь: