Электрически активные состояния захвата и переноса заряда, обусловливающие медленную рекомбинацию в кристаллах бромида таллия при низких температурах

Исследовались образцы монокристаллов TlBr, выращенных по методу Бриджмена–Стокбаргера. Установлено, что при межзонном возбуждении светом при температурах ниже 200 K проявляются эффекты замороженной проводимости. При этом выявляются ярко выраженные сверхлинейные зависимости индуцированной (фото-) проводимости от напряженности приложенного электрического поля. Как свидетельствуют результаты исследования термостимулированной проводимости, эти явления могут быть связаны с заполнением ловушечных состояний с энергиями термической активации 0.08–0.12 эВ. Это состояние может быть снято в результате термического гашения при температурах $\gtrsim$ 180 K из-за опустошения заполненных после оптической генерации энергетических состояний с энергией активации 0.63–0.65 эВ.