|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
Г. П. Гайдар, П. И. Баранский, “Тензосопротивление $n$-Ge разной кристаллографической ориентации при наличии классически сильного магнитного поля и без него”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 975–980   ; G. P. Gaidar, P. I. Baransky, “Tensoresistance of $n$-Ge with different crystallographic orientations in the presence of a classically high magnetic field and without it”, Semiconductors, 51:7 (2017), 936–941 |
|
2016 |
| 2. |
Г. П. Гайдар, П. И. Баранский, “Особенности электрофизических параметров НТЛ-Si при разных режимах термообработки”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 751–756 ; G. P. Gaidar, P. I. Baransky, “Specific features of the electrophysical parameters of NTD Si treated under different conditions of heat treatment”, Semiconductors, 50:6 (2016), 735–740 |
1
|
|
1986 |
| 3. |
Г. П. Гайдар, А. А. Гирий, В. Н. Ермаков, В. И. Шаховцов, “Влияние термоотжига и $\gamma$-облучения на изменение удельного
сопротивления $n$-германия в магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986), 2109–2111 |
| 4. |
Г. П. Гайдар, В. В. Савяк, Ю. В. Симоненко, “Концентрационная зависимость параметра анизотропии термоэдс
увлечения в $n$-германии”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1137–1139 |
| 5. |
Г. П. Гайдар, В. А. Гирий, В. Н. Ермаков, В. И. Шаховцов, “Определение сдвиговой константы деформационного потенциала $\Theta_{u}$
в трансмутационно-легированных кристаллах кремния”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1107–1109 |
| 6. |
Г. П. Гайдар, Н. Н. Дмитренко, Л. В. Дубар, П. М. Курило, А. А. Павленко, Ю. С. Стрюк, В. В. Токаревский, “Возможность трансмутационного легирования кремния посредством
протонного облучения”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 960–962 |
|
Обратная связь: