Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 751–756 (Mi phts6434)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Особенности электрофизических параметров НТЛ-Si при разных режимах термообработки

Г. П. Гайдарa, П. И. Баранскийb

a Институт ядерных исследований НАН Украины, Киев, Украина
b Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
Аннотация: Исследовано влияние термоотжига в области температур 800 $\le T_{\operatorname{ann}}\le$ 1200$^\circ$C и двух скоростей охлаждения ($v_{\operatorname{cl}}$ = 1 и 15$^\circ$C/мин) на изменение концентрации носителей заряда в зоне проводимости, их подвижности, а также тензосопротивления в кристаллах $n$-Si как нейтронно-трансмутационно легированных, так и легированных примесью фосфора через расплав (в процессе выращивания методом Чохральского). Обнаружено, что после отжига при $T_{\operatorname{ann}}$ = 1050–1100$^\circ$C во всех кристаллах (независимо от способа легирования), происходит увеличение концентрации носителей заряда в 1.3–1.7 раза по сравнению с исходной. Выявлено специфическое влияние скорости охлаждения 15$^\circ$C/мин на свойства трансмутационно легированных кристаллов $n$-Si$\langle$P$\rangle$ в зависимости от температуры их отжига.
Поступила в редакцию: 24.11.2015
Принята в печать: 30.11.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 6, Pages 735–740
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616060063
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. П. Гайдар, П. И. Баранский, “Особенности электрофизических параметров НТЛ-Si при разных режимах термообработки”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 751–756; Semiconductors, 50:6 (2016), 735–740
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GaiBar16}
\by Г.~П.~Гайдар, П.~И.~Баранский
\paper Особенности электрофизических параметров НТЛ-Si при разных режимах термообработки
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 6
\pages 751--756
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6434}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368907}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 6
\pages 735--740
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616060063}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6434
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i6/p751
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024