|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
А. В. Горбатюк, Б. В. Иванов, “Неоднородные процессы инжекции и теплопереноса в реверсивно-включаемых динисторах при работе в частотно-импульсных режимах с ограниченным теплоотводом”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 533–539   ; A. V. Gorbatyuk, B. V. Ivanov, “Inhomogeneous injection and heat-transfer processes in reversely switched dynistors operating in the pulse-frequency repetition modes with a limited heat sink”, Semiconductors, 53:4 (2019), 524–529 |
| 2. |
А. В. Горбатюк, Б. В. Иванов, “Перераспределение токов и тепловых потерь в реверсивно-включаемом динисторе при наличии поперечного перепада температуры”, Письма в ЖТФ, 45:1 (2019), 57–60 ; A. V. Gorbatyuk, B. V. Ivanov, “Redistribution of current and loss of heat in a reversely switched dynistor in the presence of a transverse temperature gradient”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1241–1244 |
1
|
|
2017 |
| 3. |
А. В. Горбатюк, Б. В. Иванов, “Имитационное моделирование реверсивно-включаемых динисторов в режимах со сниженным порогом первичного запуска”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 835–843 ; A. V. Gorbatyuk, B. V. Ivanov, “Simulation of reversely switched dynistors in modes with a lowered primary-ignition threshold”, Semiconductors, 51:6 (2017), 803–811 |
2
|
|
2016 |
| 4. |
А. С. Кюрегян, А. В. Горбатюк, Б. В. Иванов, “Влияние инжекционной способности анодного эмиттера на характеристики комбинированных СИТ–МОП транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 973–978 ; A. S. Kyuregyan, A. V. Gorbatyuk, B. V. Ivanov, “Effect of the anode-emitter injection efficiency on the characteristics of hybrid SIT–MOS transistors”, Semiconductors, 50:7 (2016), 957–962 |
2
|
|
1991 |
| 5. |
А. В. Горбатюк, И. Е. Панайотти, “Термогенерационный пробой канала двойной инжекции в полупроводниковой
структуре”, ЖТФ, 61:6 (1991), 83–92  |
|
1990 |
| 6. |
А. В. Горбатюк, И. Е. Панайотти, “Динамический перегрев реверсивно включаемых динисторов”, ЖТФ, 60:5 (1990), 129–135 |
| 7. |
А. В. Горбатюк, П. Б. Родин, “Механизм пространственно-периодического расслоения тока в тиристоре”, Письма в ЖТФ, 16:13 (1990), 89–93 |
|
1989 |
| 8. |
А. В. Горбатюк, И. А. Линийчук, А. В. Свирин, “Пространственно-периодическое разрушение тиристора в режиме
динамической перегрузки”, Письма в ЖТФ, 15:6 (1989), 42–45 |
|
1986 |
| 9. |
А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, С. В. Коротков, К. В. Муковников, “О влиянии электродинамических эффектов на однородность
коммутационных процессов в быстродействующих полупроводниковых приборах
большой мощности”, ЖТФ, 56:9 (1986), 1860–1861 |
|
1985 |
| 10. |
А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, Л. А. Делимова, М. Л. Шубников, “Влияние гидростатического сжатия на время жизни неравновесных носителей заряда в кремнии”, Письма в ЖТФ, 11:21 (1985), 1288–1293 |
|
1983 |
| 11. |
И. В. Грехов, А. В. Горбатюк, Л. С. Костина, С. В. Коротков, Н. С. Яковчук, “Мощный переключатель микросекундного диапазона —
реверсивно-включаемый динистор”, ЖТФ, 53:9 (1983), 1822–1826 |
| 12. |
А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, А. В. Наливкин, “Транзисторный эффект в двухполюсной $n^{+}pNn^{+}$-структуре при ее
импульсном инжекционном возбуждении”, Письма в ЖТФ, 9:20 (1983), 1271–1275 |
| 13. |
А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, Л. С. Костина, А. В. Наливкин, “Инжекционно-лавинный механизм запуска реверсивно-включаемых
динисторов в субмикросекундном диапазоне”, Письма в ЖТФ, 9:20 (1983), 1217–1221 |
| 14. |
И. В. Грехов, А. В. Горбатюк, Л. С. Костина, К. В. Муковников, И. А. Смирнова, “Новый быстродействующий мощный переключатель — инжекционно-полевой
тиристор (ИПТ)”, Письма в ЖТФ, 9:1 (1983), 18–21 |
|
Обратная связь: