|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Увеличение эффективности трехпереходных солнечных элементов за счет метаморфного InGaAs-субэлемента”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 51–54   |
|
2020 |
| 2. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Влияние числа рядов GaInAs-квантовых объектов на ток насыщения GaAs-фотопреобразователей”, Письма в ЖТФ, 46:12 (2020), 30–33 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “The influence of the number of rows of GaInAs quantum objects on the saturation current of GaAs photoconverters”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 599–602 |
2
|
| 3. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Определение по спектру фототока ширины запрещенной зоны Ga$_{1-x}$In$_{x}$As $p$–$n$-переходов на метаморфном буфере”, Письма в ЖТФ, 46:7 (2020), 29–31 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Finding the energy gap of Ga$_{1-x}$In$_{x}$As $p$–$n$ junctions on a metamorphic buffer from the photocurrent spectrum”, Tech. Phys. Lett., 46:4 (2020), 332–334 |
1
|
|
2019 |
| 4. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Противодействующий фотовольтаический эффект в верхней межгенераторной части трехпереходных GaInP/GaAs/Ge солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1568–1572 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Counteracting the photovoltaic effect in the top intergenerator part of GaInP/GaAs/Ge solar cells”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1535–1539 |
2
|
| 5. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Аномалии в фотовольтаических характеристиках многопереходных солнечных элементов при сверхвысоких концентрациях солнечного излучения”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 37–39 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Anomalies in photovoltaic characteristics of multijunction solar cells at ultrahigh solar light concentrations”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1100–1102 |
3
|
|
2018 |
| 6. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Рекомбинация в GaAs $p$-$i$-$n$-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1126–1130 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Recombination in GaAs $p$-$i$-$n$ structures with InGaAs quantum-confined objects: modeling and regularities”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1244–1248 |
6
|
|
2016 |
| 7. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 987–992 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “On current spreading in solar cells: a two-parameter tube model”, Semiconductors, 50:7 (2016), 970–975 |
4
|
|
1992 |
| 8. |
В. В. Евстропов, И. Ю. Линьков, Я. В. Морозенко, Ф. Г. Пикус, “Фотолюминесценция компенсированного SiC-6H”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992), 969–978 |
|
1991 |
| 9. |
К. К. Джаманбалин, А. Г. Дмитриев, В. В. Евстропов, М. И. Шульга, “Возникновение туннельного тока в структурах металл$-$полупроводник
после воздействия лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991), 1774–1779 |
|
1989 |
| 10. |
М. М. Аникин, В. В. Евстропов, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, “Разновидность неклассического термоинжекционного тока
в карбид-кремниевых $p{-}n$-структурах”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989), 1813–1818 |
| 11. |
М. М. Аникин, В. В. Евстропов, И. В. Попов, В. Н. Растегаев, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, “Неклассический термоинжекционный ток в карбид-кремниевых
$p{-}n$-структурах”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 647–651 |
|
1986 |
| 12. |
Г. Т. Айтиева, В. Н. Бессолов, А. С. Волков, В. В. Евстропов, К. В. Киселев, Г. Г. Кочиев, А. Л. Липко, Б. В. Царенков, “Интерфейсная люминесценция гетероструктуры
$n$-GaAs/$n$-GaAlAs, полученной жидкостной эпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1313–1317 |
| 13. |
В. В. Евстропов, Н. М. Стусь, Н. Н. Смирнова, Г. М. Филаретова, Л. М. Федоров, В. Г. Сидоров, “Неклассический термоинжекционный ток в InAsSbP/InAs
$p{-}n$-структурах”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 762–765 |
|
1984 |
| 14. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. В. Евстропов, В. Г. Сидоров, И. С. Тарасов, Л. М. Федоров, “Обратные токи в $p{-}n$-гетероструктурах
InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 2036–2040 |
| 15. |
В. В. Евстропов, К. В. Киселев, И. Л. Петрович, Б. В. Царенков, “Ток, обусловленный рекомбинацией через многоуровневый центр в слое
объемного заряда $p{-}n$-структуры”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1852–1858 |
| 16. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. В. Евстропов, В. Г. Сидоров, И. С. Тарасов, Л. М. Федоров, “Влияние несоответствия параметров решеток на
$I{-}V$-характеристики InGaAsP/InP $p{-}n$-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1413–1416 |
| 17. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. В. Евстропов, В. Г. Сидоров, И. С. Тарасов, Л. М. Федоров, “Токи туннельного типа в $p{-}n$-гетероструктурах
InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1034–1038 |
| 18. |
В. В. Евстропов, К. В. Киселев, И. Л. Петрович, Б. В. Царенков, “Скорость рекомбинации через многоуровневый (многозарядный) центр”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984), 902–912 |
|
1983 |
| 19. |
В. В. Евстропов, Б. Н. Калинин, Б. В. Царенков, “Неклассический термоинжекционный ток в GaP $p{-}n$-структурах”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 599–606 |
|
Обратная связь: