|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
С. А. Смагулова, П. В. Винокуров, А. А. Семенова, Е. И. Попова, Ф. Д. Васильева, Е. Д. Образцова, П. В. Федотов, И. В. Антонова, “Исследование свойств двумерных пленок МоS$_{2}$ и WS$_{2}$, синтезированных химическим газофазным методом”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 376–387   ; S. A. Smagulova, P. V. Vinokurov, A. A. Semyonova, E. I. Popova, F. D. Vasylieva, E. D. Obraztsova, P. V. Fedotov, I. V. Antonova, “Study of the properties of two-dimensional МоS$_{2}$ and WS$_{2}$ films synthesized by chemical-vapor deposition”, Semiconductors, 54:4 (2020), 454–464 |
6
|
|
2016 |
| 2. |
И. В. Антонова, И. А. Котин, В. И. Попов, Ф. Д. Васильева, А. Н. Капитонов, С. А. Смагулова, “Пленки оксида графена, напечатанные на твердых и гибких подложках, для широкого спектра приложений”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1086–1094 ; I. V. Antonova, I. A. Kotin, V. I. Popov, F. D. Vasylieva, A. N. Kapitonov, S. A. Smagulova, “Graphene-oxide films printed on rigid and flexible substrates for a wide spectrum of applications”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1065–1073 |
8
|
|
1988 |
| 3. |
А. В. Васильев, В. В. Михнович, С. А. Смагулова, “Механизм отжига разупорядоченных областей в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1137–1139 |
|
1987 |
| 4. |
И. В. Антонова, А. В. Васильев, В. И. Панов, С. А. Смагулова, Л. С. Смирнов, С. С. Шаймеев, “Исследование методом емкостной спектроскопии кремния $n$-типа,
легированного магнием”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 684–687 |
| 5. |
А. В. Васильев, В. И. Панов, С. А. Смагулова, С. С. Шаймеев, “Зависимость скоростей введения дефектных комплексов в кремнии
$n$-типа от температуры облучения электронами”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 573–575 |
|
1986 |
| 6. |
А. В. Васильев, С. А. Смагулова, Л. С. Смирнов, “Отжиг дивакансий в кремнии, облученном быстрыми нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 561–564 |
|
1985 |
| 7. |
А. В. Васильев, М. И. Изтелеуов, С. А. Смагулова, Л. С. Смирнов, “О параметрах разупорядоченных областей в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 2073–2074 |
| 8. |
А. В. Васильев, С. А. Смагулова, С. С. Шаймеев, “Накопление точечных дефектов в кремнии, содержащем трансформированные
отжигом разупорядоченные области”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 952–955 |
|
1984 |
| 9. |
А. И. Баранов, А. В. Васильев, Н. И. Комолова, С. А. Смагулова, Л. С. Смирнов, С. С. Шаймеев, “Количественные оценки параметров образования основных радиационных
дефектов в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984), 2177–2181 |
|
1983 |
| 10. |
А. И. Баранов, А. В. Васильев, Н. И. Комолова, С. А. Смагулова, “О количественных оценках параметров радиационного дефектообразования
в кремнии $n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1663–1666 |
| 11. |
А. В. Васильев, И. А. Копшик, С. А. Смагулова, М. А. Цвайгерт, С. С. Шаймеев, “Исследование методом DLTS отжига кремния $n$-типа, облученного
нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 1155–1157 |
| 12. |
А. В. Васильев, С. А. Смагулова, С. С. Шаймеев, “К вопросу о методике обработки спектров DLTS”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 162–164 |
| 13. |
А. В. Васильев, С. А. Смагулова, “Параметры трансформированных отжигом разупорядоченных областей
в кремнии $n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 30–34 |
|
Обратная связь: