Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Брудный В Н

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 7
Научных статей: 7

Статистика просмотров:
Эта страница:39
Страницы публикаций:254
Полные тексты:106

https://www.mathnet.ru/rus/person161484
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2019
1. В. Н. Брудный, М. Д. Вилисова, Л. Э. Великовский, “Твердые растворы In$_{x}$Al$_{1-x}$N: проблемы стабильности состава”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1733–1739  mathnet  elib; V. N. Brudnyi, M. D. Vilisova, L. E. Velikovskiy, “In$_{x}$Al$_{1-x}$N solid solutions: Composition stability issues”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1724–1730 1
1989
2. Н. Н. Бакин, В. Н. Брудный, В. В. Пешев, С. В. Смородинов, “Образование центров E10 (${E_{c}-0.62}$ эВ) в области пространственного заряда и нейтральном объеме $n$-InP при электронном и $\gamma$-облучениях”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  890–892  mathnet
1988
3. В. Н. Брудный, В. В. Пешев, А. М. Притулов, “Накопление E3-центров в $n$-GaAs при $\gamma$-облучении в интервале температур ${77\div580}$ K”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1124–1126  mathnet
1986
4. В. Н. Брудный, А. А. Цой, “Центры аннигиляции позитронов в облученных электронами полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  511–514  mathnet
1985
5. В. Н. Брудный, В. А. Новиков, “« Предельные» электрические параметры GaP, облученного электронами”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  747–749  mathnet
1984
6. В. Н. Брудный, С. Е. Ерматов, С. Б. Нурмагамбетов, А. Д. Погребняк, В. Т. Толебаев, “Аннигиляция позитронов в облученном нейтронами $\alpha$-SiC (6$H$)”, Физика твердого тела, 26:5 (1984),  1452–1456  mathnet  isi
1983
7. В. Н. Брудный, А. И. Потапов, Ю. В. Рудь, М. Сергинов, “Электрическте свойства твердых растворов A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}{-}$A$^{\text{II}}$B$^{\text{IV}}$C$^{\text{V}}_{2}$, облученных ионами H$^{+}$”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1347–1348  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024