Твердые растворы In$_{x}$Al$_{1-x}$N: проблемы стабильности состава

Проанализированы фазовые диаграммы и условия выращивания твердых растворов In$_{x}$Al$_{1-x}$N методами магнетронного распыления, молекулярно-лучевой эпитаксии и газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Взаимная равновесная растворимость в широкой области составов толстых слоев данного раствора близка к нулю. При этом наличие упругих напряжений несоответствия для тонких слоев In$_{x}$Al$_{1-x}$N сужает нестабильную область смешиваемости. Оптимизация условий выращивания позволяет получить однородные гомогенные слои In$_{x}$Al$_{1-x}$N высокого качества, пригодные для производства барьерного слоя в InAlN/GaN – транзисторах с высокой подвижностью электронов.