|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
Г. Г. Савенков, А. Ф. Кардо-Сысоев, А. Г. Зегря, И. А. Оськин, В. А. Брагин, Г. Г. Зегря, “Возбуждение взрывчатых превращений в энергонасыщенных соединениях на основе нанопористого кремния с помощью полупроводниковых быстродействующих ключей и энерговыделяющих элементов”, Письма в ЖТФ, 43:19 (2017), 57–63   ; G. G. Savenkov, A. F. Kardo-Sisoev, A. G. Zegrya, I. A. Oskin, V. A. Bragin, G. G. Zegrya, “Initiation of explosive conversions in energy-saturated nanoporous silicon-based compounds with fast semiconductor switches and energy-releasing elements”, Tech. Phys. Lett., 43:10 (2017), 896–898 |
2
|
|
1992 |
| 2. |
А. Ф. Кардо-Сысоев, М. В. Попова, Д. И. Шеметило, “Влияние накопления неосновных носителей в $p^{+}$-слое на процесс
восстановления напряжения на $p^{+}{-}n$-переходе”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992), 1048–1053 |
|
1991 |
| 3. |
И. В. Грехов, С. В. Зазулин, А. Ф. Кардо-Сысоев, “Ударная ионизация в кремнии в слабых полях”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991), 885–892 |
| 4. |
А. Ф. Кардо-Сысоев, М. В. Попова, “Нестационарные процессы двойной инжекции и рассасывания плазмы
в полупроводниковой $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структуре”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 3–11 |
| 5. |
В. И. Брылевский, А. Ф. Кардо-Сысоев, И. А. Смирнова, И. Г. Чашников, “Быстродействующие динисторы, изготовленные с применением прямого
сращивания полупроводниковых пластин”, Письма в ЖТФ, 17:19 (1991), 51–54  |
|
1990 |
| 6. |
И. В. Грехов, С. В. 3азулин, А. Ф. Кардо-Сысоев, “Ударная ионизация глубокого уровня Au в Si”, Письма в ЖТФ, 16:4 (1990), 63–67 |
|
1988 |
| 7. |
В. И. Брылевский, И. В. Грехов, В. М. Ефанов, А. Ф. Кардо-Сысоев, И. Г. Чашников, Д. И. Шеметило, “Эффект быстрого восстановления обратного напряжения
на симметричной $p^{+}pnn^{+}$-структуре”, ЖТФ, 58:11 (1988), 2244–2247 |
| 8. |
В. М. Ефанов, А. Ф. Кардо-Сысоев, М. В. Попова, “Нестационарные токи двойной инжекции в условиях насыщения скоростей
дрейфа электронов и дырок”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1747–1753 |
|
1987 |
| 9. |
В. М. Ефанов, А. Ф. Кардо-Сысоев, И. А. Смирнова, “Нестационарные процессы накопления и рассасывания электронно-дырочной
плазмы в полупроводниках в сильных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 620–625 |
| 10. |
Ж. И. Алфёров, И. В. Грехов, В. М. Ефанов, А. Ф. Кардо-Сысоев, В. И. Корольков, М. Н. Степанова, “Формирование высоковольтных перепадов напряжения пикосекундного диапазона на арсенидгалиевых диодах”, Письма в ЖТФ, 13:18 (1987), 1089–1093 |
|
1986 |
| 11. |
И. В. Грехов, А. Ф. Кардо-Сысоев, И. А. Смирнова, С. В. Шендерей, В. С. Юферев, “Быстрые ионизационные волны в полупроводнике, связанные
с переизлучением”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1335–1337 |
| 12. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Ефанов, Ю. М. Задиранов, А. Ф. Кардо-Сысоев, В. И. Корольков, С. И. Пономарев, А. В. Рожков, “Электрически управляемые трехэлектродные высоковольтные переключатели субнаносекундного диапазона на основе многослойной
$Ga\,As-Al\,Ga\,As$ гетероструктуры”, Письма в ЖТФ, 12:21 (1986), 1281–1285 |
|
1985 |
| 13. |
И. В. Грехов, В. М. Ефанов, А. Ф. Кардо-Сысоев, И. А. Смирнова, “Полупроводниковые мощные субнаносекундные коммутаторы с большим временем удержания в проводящем состоянии”, Письма в ЖТФ, 11:15 (1985), 901–904 |
|
1983 |
| 14. |
И. В. Грехов, А. Ф. Кардо-Сысоев, М. В. Попова, С. В. Шендерей, “Начальная стадия развития волн ударной ионизации в перенапряженных
$p{-}n$-переходах”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1380–1385 |
| 15. |
И. В. Грехов, В. М. Ефанов, А. Ф. Кардо-Сысоев, С. В. Шендерей, “Формирование высоковольтных наносекундных перепадов напряжения на
полупроводниковых диодах с дрейфовым механизмом восстановления напряжения”, Письма в ЖТФ, 9:7 (1983), 435–439 |
1
|
|
Обратная связь: