|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
В. Л. Борблик, З. С. Грибников, Б. П. Маркевич, “Теория полевого эффекта в туннельно-резонансной гетероструктуре
с селективным рассеянием”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1302–1314  |
| 2. |
З. С. Грибников, В. Б. Железняк, “Двумерные ганновские домены в структурах с полевым электродом”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 17–29 |
|
1990 |
| 3. |
З. С. Грибников, О. Э. Райчев, “Перенос электронов через нерезкий $\Gamma X$-гетеропереход”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1772–1784 |
| 4. |
З. С. Грибников, О. Э. Райчев, “Инверсия двойного заряженного слоя при прямом смещении
слабопрозрачного изотипного гетероперехода”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990), 1222–1226 |
| 5. |
Н. З. Вагидов, З. С. Грибников, В. М. Иващенко, “Моделирование переноса электронов в реальном пространстве
гетероструктуры GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As (для малых и больших
значений $x$)”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1087–1094 |
| 6. |
З. С. Грибников, В. Б. Железняк, “Двумерные ганновские домены в слоистых структурах”, Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990), 401–408 |
| 7. |
З. С. Грибников, О. Э. Райчев, “$\Gamma X$-перенос в реальном пространстве $N$-ОДП в слоистой
структуре”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 346–352 |
|
1989 |
| 8. |
З. С. Грибников, О. Э. Райчев, “$\Gamma X$-перенос в реальном пространстве: вклад рассеяния
на междолинных фононах”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989), 2171–2178 |
| 9. |
Н. З. Вагидов, З. С. Грибников, В. М. Иващенко, “Дрейфовая скорость горячих электронов в обогащенных слоях
при нетемпературном характере их распределения по энергии”, Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 304–311 |
|
1988 |
| 10. |
В. Л. Борблик, З. С. Грибников, “Транзисторы на горячих электронах”, Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988), 1537–1555 |
|
1987 |
| 11. |
З. С. Грибников, О. Г. Сарбей, “Многозначная анизотропия электропроводности и $N$-ОДП
в трехмерной гетероструктуре с пространственным переносом горячих
электронов”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1820–1825 |
| 12. |
З. С. Грибников, В. Б. Железняк, “Перегревная оптическая бистабильность в дырочных и электронных
полупроводниках, обусловленная поглощением ИК излучения свободными
носителями”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 785–791 |
| 13. |
В. Л. Борблик, З. С. Грибников, “Фотозахват межслойных доменных стенок в многодолинных полупроводниках
в условиях многозначной анизотропии проводимости”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 442–448 |
| 14. |
Ф. Т. Васько, З. С. Грибников, В. М. Иващенко, “Энергетическое распределение электронов, взаимодействующих
с оптическими фононами в поле ИК излучения. Расчет методом Монте-Карло”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987), 251–256 |
|
1986 |
| 15. |
Г. В. Гигуашвили, З. С. Грибников, В. М. Миняйло, О. Г. Сарбей, “Многозначная анизотропия электропроводности в коротких образцах
кремния”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 300–303 |
|
1985 |
| 16. |
З. С. Грибников, “Многозначные распределения горячих электронов по эквивалентным
долинам полупроводника в переменных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985), 2231–2234 |
| 17. |
З. С. Грибников, “Многозначная анизотропия многодолинных полупроводников с учетом
металлических контактов”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 905–912 |
| 18. |
З. С. Грибников, “Контактные явления в полупроводнике с двойным протеканием”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985), 438–445 |
|
1984 |
| 19. |
З. С. Грибников, “Пространственное распределение фотоносителей в полупроводнике
при высоких уровнях возбуждения”, Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984), 2130–2137 |
| 20. |
З. С. Грибников, Н. А. Прима, “Дрейфовая междолинная биполярная неустойчивость в несобственном полупроводнике”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 508–512 |
|
1983 |
| 21. |
З. С. Грибников, Р. Н. Литовский, Е. В. Моздор, “Дрейфовое распределение носителей тока в полупроводнике при их
разогреве пространственно неоднородным излучением”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1438–1445 |
|
1976 |
| 22. |
Э. И. Рашба, З. С. Грибников, В. Я. Кравченко, “Анизотропные размерные эффекты в полупроводниках и полуметаллах”, УФН, 119:1 (1976), 3–47 ; E. I. Rashba, Z. S. Gribnikov, V. Ya. Kravchenko, “Anisotropic size effects in semiconductors and semimetals”, Phys. Usp., 19:5 (1976), 361–387 |
40
|
|
|
|
1990 |
| 23. |
З. С. Грибников, О. Э. Райчев, “Исправление к статье «$\Gamma X$-перенос в реальном
пространстве: $N$-ОДП в слоистой структуре»
(ФТП. 1990. Т. 24. В. 2. С. 346$-$352)”, Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990), 940 |
|
Обратная связь: