Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Успехи физических наук, 1976, том 119, номер 1, страницы 3–47
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0119.197605a.0003
(Mi ufn9813)
 

Эта публикация цитируется в 40 научных статьях (всего в 40 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Анизотропные размерные эффекты в полупроводниках и полуметаллах

Э. И. Рашбаa, З. С. Грибниковb, В. Я. Кравченкоc

a Институт теоретической и экспериментальной физики, г. Москва
b Институт полупроводников АН УССР, г. Киев
c Институт физики твердого тела АН СССР, Черноголовка, Московская обл.
Аннотация: Сильное различие между характерными временами разных электронных релаксационных процессов (релаксация по импульсу, по энергии, междолинная релаксация, электронно-дырочная рекомбинация) позволяет разбить носители тока на группы, релаксация между которыми происходит относительно медленно. Каждому из “больших” времен может быть поставлена в соответствие характерная длина, имеющая смысл диффузионной длины и значительно превышающая обычную длину свободного пробега. Кинетические коэффициенты отдельных групп, как правило, анизотропны даже в кубических кристаллах, причем величина анизотропии не совпадает для разных групп (эта анизотропия может быть либо естественной, либо созданной давлением, магнитным полем и т. д.). Поэтому прохождение тока сопровождается возникновением неравновесных концентраций носителей отдельных групп. Градиенты этих концентраций ориентированы перпендикулярно к току, причем затухают на расстояниях порядка диффузионных длин. Эффекты, связанные с образованием неравновесных носителей и влиянием их диффузий на кинетические параметры образцов, объединены в статье названием “Анизотропные размерные эффекты” (АРЭ). В ней дан обзор теоретических и экспериментальных работ по различным проявлениям АРЭ. Обсуждается размерная зависимость электропроводности и магнитосопротивления, проявляющаяся на “больших” толщинах образцов (порядка диффузионных длин), а также нелинейность электропроводности в относительно слабых полях, перераспределение носителей в “сильных” полях (сопровождаемое гигантским изменением их полного числа и образованием доменов, слоев обеднения и обогащения), влияние АРЭ на скин-эффект (изменяющее поверхностный импеданс полуметаллов по порядку величины) и электромагнитное возбуждение звука в полуметаллах. Иллюстраций 30, библиографических ссылок 161 (167 назв.).
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 1976, Volume 19, Issue 5, Pages 361–387
DOI: https://doi.org/10.1070/PU1976v019n05ABEH005258
Тип публикации: Статья
УДК: 537.31.33
PACS: 72.20.My, 72.20.Fr, 72.10.-d
Образец цитирования: Э. И. Рашба, З. С. Грибников, В. Я. Кравченко, “Анизотропные размерные эффекты в полупроводниках и полуметаллах”, УФН, 119:1 (1976), 3–47; Phys. Usp., 19:5 (1976), 361–387
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RasGriKra76}
\by Э.~И.~Рашба, З.~С.~Грибников, В.~Я.~Кравченко
\paper Анизотропные размерные эффекты в полупроводниках и полуметаллах
\jour УФН
\yr 1976
\vol 119
\issue 1
\pages 3--47
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn9813}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0119.197605a.0003}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 1976
\vol 19
\issue 5
\pages 361--387
\crossref{https://doi.org/10.1070/PU1976v019n05ABEH005258}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn9813
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v119/i1/p3
  • Эта публикация цитируется в следующих 40 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:54
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024