Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Баранский П И
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 36
Научных статей: 36

Статистика просмотров:
Эта страница:90
Страницы публикаций:1670
Полные тексты:812

https://www.mathnet.ru/rus/person161231
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2017
1. Г. П. Гайдар, П. И. Баранский, “Тензосопротивление $n$-Ge разной кристаллографической ориентации при наличии классически сильного магнитного поля и без него”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  975–980  mathnet  elib; G. P. Gaidar, P. I. Baransky, “Tensoresistance of $n$-Ge with different crystallographic orientations in the presence of a classically high magnetic field and without it”, Semiconductors, 51:7 (2017), 936–941
2016
2. Г. П. Гайдар, П. И. Баранский, “Особенности электрофизических параметров НТЛ-Si при разных режимах термообработки”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  751–756  mathnet  elib; G. P. Gaidar, P. I. Baransky, “Specific features of the electrophysical parameters of NTD Si treated under different conditions of heat treatment”, Semiconductors, 50:6 (2016), 735–740 1
1991
3. П. И. Баранский, А. Е. Беляев, И. Н. Горбатюк, С. М. Комиренко, И. М. Раренко, Н. В. Шевченко, “Рекомбинация в Hg$_{1-x-y}$Cd$_{x}$Mn$_{y}$Te ($x\cong 0.28{-}0.35$, $y\cong 0.01{-}0.02$)”, Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991),  1183–1187  mathnet
1990
4. П. И. Баранский, А. Е. Беляев, С. М. Комиренко, Н. В. Шевченко, “Механизм изменения подвижности носителей заряда при ультразвуковой обработке полупроводниковых твердых растворов”, Физика твердого тела, 32:7 (1990),  2159–2161  mathnet  isi
5. П. И. Баранский, А. Е. Беляев, О. А. Боднарук, И. Н. Горбатюк, С. М. Комиренко, И. М. Раренко, Н. В. Шевченко, “Явления переноса и рекомбинация в твердых растворах Mn$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x\sim 0.1$)”, Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1490–1493  mathnet
6. П. И. Баранский, А. Е. Беляев, О. П. Городничий, С. М. Комиренко, “Влияние пластической деформации на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  121–125  mathnet
1989
7. П. И. Баранский, К. А. Мысливец, Я. М. Олих, “Роль малоугловых границ в изменении электрофизических параметров кристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te под действием ультразвука”, Физика твердого тела, 31:9 (1989),  278–281  mathnet  isi
1988
8. П. И. Баранский, В. И. Торишний, Г. В. Чипенко, “О прыжковой проводимости в полупроводниковом алмазе”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2214–2217  mathnet
9. П. И. Баранский, Д. В. Соколюк, В. И. Торишний, Г. В. Чипенко, “Особенности рассеяния дырок в синтетических алмазах в греющих электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  2069–2071  mathnet
10. И. С. Буда, П. И. Баранский, “Тензор Нернста–Эттингсгаузена в одноосно деформированных полупроводниках в условиях электрон-фононного увлечения”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  355–356  mathnet
11. П. И. Баранский, А. Е. Беляев, О. П. Городничий, В. Г. Макаренко, “Влияние иттербия на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев $n$-GaP”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  158–161  mathnet
1987
12. П. И. Баранский, В. В. Коломоец, В. Н. Ермаков, П. Ф. Назарчук, “Влияние сильных одноосных упругих деформаций на проводимость по примесной зоне в $n$-Ge$\langle$Sb$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1477–1479  mathnet
13. О. Г. Балев, П. И. Баранский, Г. В. Бекетов, Р. М. Винецкий, О. П. Городничий, “Влияние поверхностной проводимости на гальваномагнитные эффекты в $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1021–1025  mathnet
14. И. С. Буда, П. И. Баранский, “Симметрия тензора пьезотермоэдс в кристаллах германия и кремния $n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  718–723  mathnet
15. И. С. Буда, П. И. Баранский, “Коммутационный эффект в деформированных кубических полупроводниках (четная часть)”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  335–337  mathnet
16. П. И. Баранский, В. Г. Малоголовец, В. И. Торишний, Г. В. Чипенко, “Температурная зависимость подвижности дырок в полупроводниковом синтетическом алмазе”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  75–79  mathnet
1986
17. П. И. Баранский, В. Я. Дучал, В. В. Коломоец, В. В. Черныш, “Анизотропия подвижности и деформационные потенциалы валентной зоны германия при сильной одноосной деформации”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2112–2115  mathnet
18. П. И. Баранский, Р. М. Винецкий, О. П. Городничий, И. Н. Горбатюк, Я. М. Олих, И. М. Раренко, “Влияние ультразвука на гальваномагнитные эффекты в $n$-(Cd, Hg)Te”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1104–1106  mathnet
19. П. И. Баранский, В. В. Коломоец, Ю. А. Охрименко, “Пьезосопротивление, связанное с искривлениями энергетического рельефа дна зоны проводимости кристаллов $n$-Si, упруго деформированных в направлении $\langle111\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  770–773  mathnet
20. П. И. Баранский, В. В. Савяк, Ю. В. Симоненко, “Термоэлектрические характеристики упруго-деформированного $n$-германия в области электрон-фононного увлечения”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  356–357  mathnet
21. И. С. Буда, П. И. Баранский, В. С. Боренко, “Коммутационный эфект в одноосно деформированных $n$-кремнии и $n$-германии. III”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  221–226  mathnet
1985
22. П. И. Баранский, В. В. Коломоец, Ю. А. Охрименко, “Механизмы пьезосопротивления в сильно легированных кристаллах $n$-Ge при 4.2 K”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1898–1899  mathnet
23. И. С. Буда, П. И. Баранский, В. С. Боренко, “Тензор Нернста–Эттингсгаузена в одноосно деформированных $n$-кремнии и $n$-германии. II”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1774–1779  mathnet
24. П. И. Баранский, В. В. Коломоец, Ю. А. Охрименко, “Пьезосопротивление и эффект Холла сильно легированных кристаллов $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1768–1770  mathnet
25. П. И. Баранский, В. В. Савяк, Ю. В. Симоненко, “Влияние условий термообработки на пьезотермоэдс увлечения в трансмутационно-легированных и обычных кристаллах кремния”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1712–1715  mathnet
26. П. И. Баранский, В. В. Коломоец, Ю. А. Охрименко, С. Н. Тышко, “Пьезосопротивление вырожденных кристаллов $n$-Si вдоль и поперек оси деформации”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1411–1413  mathnet
27. П. И. Баранский, В. В. Савяк, Ю. В. Симоненко, “Отрицательное пьезосопротивление в трансмутационно-легированных кристаллах $n$-Si при одноосной упругой деформации”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  947–949  mathnet
28. И. С. Буда, П. И. Баранский, “Тензор Нернста–Эттингсгаузена в одноосно деформированных полупроводниках кубической системы. I”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  497–501  mathnet
1984
29. П. И. Баранский, Е. Н. Видалко, В. В. Савяк, “« Внутризонная» анизотропия рассеяния носителей тока в пластически деформированном $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2224–2227  mathnet
30. П. И. Баранский, С. Л. Королюк, П. Г. Остафийчук, “Концентрационная зависимость параметра анизотропии термоэдс в $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2053–2056  mathnet
31. П. И. Баранский, И. С. Буда, В. С. Боренко, В. Б. Ковальчук, “Тензор Холла в одноосно деформированных полупроводниках кубической симметрии”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1841–1845  mathnet
32. П. И. Баранский, В. В. Савяк, Ю. В. Симоненко, “Температурная зависимость анизотропии термоэдс увлечения в одноосно деформированном $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1059–1063  mathnet
33. П. И. Баранский, Е. Н. Видалко, В. В. Савяк, “Определение параметра анизотропии термоэдс увлечения при деформации $n$-Si в направлении [110]”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  538–540  mathnet
1983
34. П. И. Баранский, В. М. Бабич, В. В. Савяк, Ю. В. Симоненко, “Сравнение экспериментальных и теоретических данных по анизотропии рассеяния носителей тока в монокристаллах $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1118–1120  mathnet
35. П. И. Баранский, В. М. Бабич, В. Л. Борблик, Ю. П. Доценко, В. Б. Ковальчук, “Механизмы рассеяния носителей тока, ответственные за формирование магнитопьезосопротивления $n$-Si в области сильных упругих деформаций”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1064–1067  mathnet
1966
36. П. И. Баранский, Ю. П. Емец, “Электрическое поле в круглой полупроводниковой пластинке, помещенной в магнитное поле”, Прикл. мех. техн. физ., 7:5 (1966),  64–72  mathnet; P. I. Baransky, Yu. P. Iemets, “The electric field in a circular semiconductor plate placed in a magnetic field”, J. Appl. Mech. Tech. Phys., 7:5 (1966), 40–47

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024