|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1989 |
| 1. |
В. М. Андреев, А. А. Воднев, В. Р. Ларионов, Т. А. Пруцких, В. Д. Румянцев, К. Я. Расулов, В. П. Хвостиков, “Фотоэлектрические свойства
AlGaAs$-$GaAs-гетероструктур с туннельно-тонким
«широкозонным окном»”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 597–600  |
|
1988 |
| 2. |
В. М. Андреев, А. А. Воднев, В. Р. Ларионов, К. Я. Расулов, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Гетероструктуры с туннельно тонкими ($20{-}50$ Å)
поверхностными AlGaAs-слоями,
полученными методом ЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 14:15 (1988), 1429–1433  |
| 3. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, А. А. Воднев, В. Р. Ларионов, А. В. Никитин, Т. А. Пруцких, В. Д. Румянцев, “«Фиолетовые»$p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs-фотоэлементы”, Письма в ЖТФ, 14:1 (1988), 76–79 |
|
1987 |
| 4. |
В. М. Андреев, А. А. Воднев, А. М. Минтаиров, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Фотолюминесценция квантово-размерных слоев в AlGaAs-гетероструктурах,
полученных методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1212–1216 |
|
1986 |
| 5. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, А. А. Воднев, О. О. Ивентьева, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, “Низкопороговые (${j_{\text{п}}=
230\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K)
AlGaAs ДГС РО лазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 381–383 |
| 6. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, А. А. Воднев, С. Г. Конников, В. Р. Ларионов, К. Ю. Погребицкий, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “$Al\,Ga\,As$-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 12:18 (1986), 1089–1093 |
1
|
|
Обратная связь: