|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, А. В. Сахаров, М. А. Синицын, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Ф. Цацульников, “Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода”, Письма в ЖТФ, 42:10 (2016), 85–91   ; V. V. Lundin, E. E. Zavarin, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, A. V. Sakharov, M. A. Sinicin, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. F. Tsatsul'nikov, “Semi-insulating GaN:C epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy using propane as a carbon source”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 539–542 |
5
|
|
1991 |
| 2. |
Д. А. Винокуров, В. М. Лантратов, М. А. Синицын, В. П. Улин, Н. Н. Фалеев, О. М. Федорова, Я. Л. Шайович, Б. С. Явич, “Свойства и особенности кристаллизации эпитаксиальных слоев GaAs,
выращенных на подложках Si(100) методом двухстадийного осаждения в МОС
гидридном процессе”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 1022–1029 |
|
1989 |
| 3. |
С. Г. Конников, О. В. Салата, В. А. Соловьев, М. А. Синицын, В. Е. Уманский, Д. А. Винокуров, “Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных
слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1416–1419 |
| 4. |
Д. З. Гарбузов, С. Н. Жигулин, И. А. Мокина, Т. А. Налет, М. А. Синицын, H. A. Стругов, А. П. Шкурко, Б. C. Явич, “Оксидно-полосковые и зарощенные AlGaAs/GaAs квантово-размерные
лазеры, изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 15:1 (1989), 20–25  |
|
1988 |
| 5. |
Ж. И. Алфров, Д. З. Гарбузов, С. Н. Жигулин, И. А. Кузьмин, Б. Б. Орлов, М. А. Синицын, Н. А. Стругов, В. Е. Токранов, Б. С. Явич, “Квантово-размерные лазерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры, полученные
МОС гидридным методом. Квантовый выход люминесценции и пороги генерации”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988), 2111–2117 |
| 6. |
А. Г. Машевский, М. А. Синицын, Д. Р. Строганов, О. М. Федорова, Б. С. Явич, “Флуктуации ширины квантовых ям
и низкотемпературная фотолюминесценция
GaAs/AlGaAs квантоворазмерных структур,
полученных МОС-гидридным методом”, Письма в ЖТФ, 14:13 (1988), 1217–1220 |
| 7. |
О. В. Коваленков, А. Г. Машевский, М. А. Синицын, О. М. Федорова, Б. С. Явич, “Исследование
GaAs$-$AlGaAs квантово-размерных структур, полученных МОС-гидридным методом”, Письма в ЖТФ, 14:3 (1988), 222–226 |
|
1987 |
| 8. |
Н. Д. Ильинская, С. А. Никишин, М. А. Синицын, Д. В. Синявский, Л. П. Сорокина, Б. С. Явич, “Токовое управление профилем толщины и «токовое раскисление»слоев (AlGa)As, выращенных в канавках”, ЖТФ, 57:4 (1987), 778–782 |
| 9. |
С. Г. Конников, О. В. Коваленков, К. Ю. Погребицкий, М. А. Синицын, Н. Н. Фалеев, Л. И. Флакс, Б. С. Явич, “Рентгенодифракционное и рентгенофотоэлектронное измерение параметров
периодических GaAs$-$AlGaAs-структур, полученных МОС гидридным методом”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1745–1749 |
| 10. |
С. Г. Конников, А. Г. Машевский, М. А. Синицын, М. М. Соболев, Б. С. Явич, “Механизм усиления фототока в GaAs$-$AlGaAs-структурах”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1327–1329 |
| 11. |
А. Г. Машевский, М. А. Синицын, О. М. Федорова, Б. С. Явич, “Влияние уровня легирования на электрофизические свойства твердого
раствора Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As : Si”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 754–756 |
| 12. |
С. Н. Александров, М. Г. Иванов, М. И. Неменов, Б. С. Рывкин, М. А. Синицын, Б. С. Явич, “$N$-образная вольтамперная характеристика
при электропоглощении в двойной гетероструктуре”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 703–706 |
| 13. |
Ж. И. Алфров, О. А. Мезрин, М. А. Синицын, С. И. Трошков, Б. С. Явич, “Механизм $S$-образной ВАХ в многослойной изотипной
GaAs$-$AlGaAs-гетероструктуре”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 494–499 |
|
1986 |
| 14. |
Б. Я. Бер, Л. А. Кадинский, М. А. Синицын, В. С. Юферев, Б. С. Явич, “Анализ нестационарных явлений в объеме реактора в процессе выращивания
Al$-$Ga$-$As структур с резкими гетеропереходами МОС гидридным методом”, ЖТФ, 56:2 (1986), 361–366 |
| 15. |
А. Д. Зорин, Е. Н. Каратаев, А. Г. Машевский, М. А. Синицын, О. М. Федорова, “Исследование природы акцепторных примесей в нелегированных
эпитаксиальных слоях GaAs, полученных МОС гидридным методом”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2163–2168 |
| 16. |
А. Г. Машевский, М. А. Синицын, О. М. Федорова, БюСюЯвич, “Глубокий донорный уровень Si в твердых растворах
Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, полученных из газовой фазы”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1919–1921 |
| 17. |
Ж. И. Алфёров, С. А. Гуревич, Р. В. Маркова, В. М. Марахонов, С. А. Никишин, Е. Л. Портной, М. А. Синицын, Д. В. Синявский, Ф. Н. Тимофеев, А. Е. Федорович, Б. С. Явич, “Непрерывные одночастотные инжекционные гетеролазеры $Ga\,Al\,As$, полученные гибридной технологией с использованием методов газофазной и жидкофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 12:10 (1986), 577–582 |
| 18. |
А. И. Жмакин, И. П. Ипатова, Ю. Н. Макаров, М. А. Синицын, А. А. Фурсенко, Б. С. Явич, “Исследование факторов, определяющих однородность толщины эпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе $Ga(CH_{3})_{3}-As\,H_{3}-H_{2}$”, Письма в ЖТФ, 12:8 (1986), 506–509 |
|
1985 |
| 19. |
А. Г. Машевский, М. А. Синицын, О. М. Федорова, Б. С. Явич, “Исследование многослойных $Ga\,As-Al\,Ga\,As$ структур на наклонных сечениях, изготовленных химическим травлением”, Письма в ЖТФ, 11:1 (1985), 21–24 |
|
1984 |
| 20. |
Р. С. Вартанян, А. Г. Машевский, М. А. Синицын, В. П. Улин, Б. С. Явич, А. А. Яковенко, “Электрофизические характеристики метастабильных твердых растворов
(Ge$_{2}$)$_{x}$(GaAs)$_{1-x}$ и влияние на них термообработки”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1438–1445 |
|
Обратная связь: