|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
Е. В. Мараева, В. А. Мошников, А. А. Петров, Ю. М. Таиров, “К модели окисления поликристаллических слоев халькогенидов свинца в иодосодержащей среде”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 791–793   ; E. V. Maraeva, V. A. Moshnikov, A. A. Petrov, Yu. M. Tairov, “Oxidation model of polycrystalline lead-chalcogenide layers in an iodine-containing medium”, Semiconductors, 50:6 (2016), 775–777 |
3
|
| 2. |
Д. Д. Авров, А. О. Лебедев, Ю. М. Таиров, “Политипные включения и политипная стабильность кристаллов карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 501–508 ; D. D. Avrov, A. O. Lebedev, Yu. M. Tairov, “Polytype inclusions and polytype stability in silicon-carbide crystals”, Semiconductors, 50:4 (2016), 494–501 |
12
|
|
1991 |
| 3. |
Г. К. Сафаралиев, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, “Широкозонные твердые растворы (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1437–1447 |
| 4. |
Г. К. Сафаралиев, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, Ш. Ш. Шабанов, “Исследование растворимости и диффузии в системах SiC$-$NbC,
SiC$-$TiC, SiC$-$ZrC”, Письма в ЖТФ, 17:23 (1991), 80–83  |
| 5. |
А. А. Андреев, П. А. Андреев, М. Х. Ганиев, Ю. М. Таиров, Д. Ханов, В. Ф. Цветков, С. В. Чернышов, “Получение аморфных гидрогенизированных широкозонных полупроводников
$a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H
в реакторе с вынесенной подложкой”, Письма в ЖТФ, 17:16 (1991), 46–49 |
|
1990 |
| 6. |
А. П. Андреев, Э. Е. Виолин, В. И. Левин, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, И. Е. Яременко, “Влияние отклонения от стехиометрии на свойства диффузионных
$p{-}n$-переходов на основе карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990), 821–824 |
| 7. |
И. И. Парфенова, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, “Теплопроводность карбида кремния в области температур 300$-$3000 K”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 258–263 |
|
1989 |
| 8. |
Д. Р. Москвина, Й. Пецольдт, Е. Н. Потапов, Ю. М. Таиров, “Политипный фазовый переход, индуцированный ионной имплантацией”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989), 2240–2243 |
| 9. |
Ш. А. Нурмагомедов, А. Н. Пихтин, В. Н. Разбегаев, Г. К. Сафаралиев, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, “Оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов
(SiC)$_{1-x}$(AlN)$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 162–164 |
|
1988 |
| 10. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, В. П. Растегаев, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, В. Е. Челноков, “Электрические характеристики эпитаксиальных
$p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур на основе карбида кремния политипа $6H$”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 298–300 |
|
1987 |
| 11. |
А. А. Кальнин, Й. Пецольдт, Ю. М. Таиров, “Экспериментальное наблюдение неравновесных фазовых переходов в SiC под влиянием термомеханического воздействия”, Физика твердого тела, 29:2 (1987), 575–577 |
| 12. |
И. С. Горбань, А. П. Крохмаль, В. И. Левин, А. С. Скирда, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, “Примесное оптическое поглощение и энергетическая структура
$1s$-состояний доноров в $4H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 194–197 |
| 13. |
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, В. И. Левин, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, В. Е. Челноков, “Создание $Si\,C$ эпитаксиальных Р-П-структур на подложках, полученных из объемных кристаллов $Si\,C$”, Письма в ЖТФ, 13:19 (1987), 1168–1171 |
|
1986 |
| 14. |
В. С. Вайнер, В. А. Ильин, В. А. Карачинов, Ю. М. Таиров, “ЭПР примесных пар (TiN)$^{0}$ в карбиде кремни политипа 6$H$”, Физика твердого тела, 28:2 (1986), 363–368 |
| 15. |
Ш. А. Нурмагомедов, А. Н. Пихтин, В. Н. Разбегаев, Г. К. Сафаралиев, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, “Получение и исследование эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов $(Si\,C)_{1-x}(Al\,N)_{x}$”, Письма в ЖТФ, 12:17 (1986), 1043–1045 |
|
1985 |
| 16. |
В. А. Ильин, В. А. Карачинов, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, “Упрощение кристаллической решетки $\mathrm{6H}$–$Si\,C$ при легировании изовалентными примесями”, Письма в ЖТФ, 11:12 (1985), 749–752 |
|
1984 |
| 17. |
Э. Е. Виолин, К. Д. Демаков, А. А. Кальнин, Ф. Нойберт, Е. Н. Потапов, Ю. М. Таиров, “Восстановление структуры слоев карбида кремния после ионной имплантации”, Физика твердого тела, 26:5 (1984), 1575–1577 |
| 18. |
Ю. М. Таиров, А. А. Кальнин, В. В. Лучинин, Ф. Нойберт, “Закономерность эволюции кристаллической структуры
при синтезе веществ, обладающих множеством структурно-устойчивых состояний”, ЖТФ, 54:7 (1984), 1388–1390 |
| 19. |
В. И. Левин, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, “Люминесценция карбида кремния в связи
с отклонениями от стехиометрии”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1194–1198 |
| 20. |
Э. Е. Виолин, Е. А. Горин, Е. Н. Потапов, Ю. М. Таиров, “Свойства $p$-слоев ионно-легированного карбида кремния, сформированных
лазерным облучением”, Письма в ЖТФ, 10:24 (1984), 1527–1529 |
| 21. |
В. В. Лучинин, Ю. М. Таиров, “Гетероэпитаксиальная композиция: редкий политип карбида кремния
2H на
изолирующей подложке: нитрид алюминия $-$ сапфир”, Письма в ЖТФ, 10:14 (1984), 873–876 |
|
1983 |
| 22. |
Г. Суханек, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, “Оценка важнейших электрофизических параметров твердых растворов карбид
кремния-нитриды A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$”, Письма в ЖТФ, 9:12 (1983), 737–741 |
|
Обратная связь: