Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 4, страницы 501–508 (Mi phts6493)  
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Политипные включения и политипная стабильность кристаллов карбида кремния

Д. Д. Авровa, А. О. Лебедевb, Ю. М. Таировa

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (611 kB) Список цитирования (12)
Аннотация: На основе литературных и собственных экспериментальных данных рассмотрены основные аспекты проблемы, связанной с обеспечением политипной стабильности выращиваемых слитков карбида кремния политипов 4H и 6Н.
Поступила в редакцию: 15.10.2015
Принята в печать: 19.10.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 4, Pages 494–501
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616040059
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. Д. Авров, А. О. Лебедев, Ю. М. Таиров, “Политипные включения и политипная стабильность кристаллов карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 501–508; Semiconductors, 50:4 (2016), 494–501
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AvrLebTai16}
\by Д.~Д.~Авров, А.~О.~Лебедев, Ю.~М.~Таиров
\paper Политипные включения и политипная стабильность кристаллов карбида кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 4
\pages 501--508
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6493}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668260}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 4
\pages 494--501
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616040059}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6493
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i4/p501
    • Эта публикация цитируется в следующих 12 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:50
    PDF полного текста:40
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024