|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
З. А. Джахангирли, Ф. М. Гашимзаде, Д. А. Гусейнова, Б. Г. Мехтиев, Н. Б. Мустафаев, “Фотопорог слоистого кристалла $\alpha$-GeS: расчет из первых принципов”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 699–701   ; Z. A. Jahangirli, F. M. Gashumzade, D. A. Guseinova, B. G. Mehdiyev, N. B. Mustafaev, “Photothreshold of an $\alpha$-GeS layered crystal: first-principles calculation”, Semiconductors, 52:7 (2018), 840–842 |
1
|
|
2016 |
| 2. |
З. А. Джахангирли, Ф. М. Гашимзаде, Д. А. Гусейнова, Б. Г. Мехтиев, Н. Б. Мустафаев, “Расчет из первых принципов фотопорога слоистого кристалла $\beta$-GaS”, Физика твердого тела, 58:9 (2016), 1707–1708 ; Z. A. Jahangirli, F. M. Gashumzade, D. A. Guseinova, B. G. Mehdiyev, N. B. Mustafaev, “First-principles calculation of the photothreshold of a $\beta$-GaS layered crystal”, Phys. Solid State, 58:9 (2016), 1764–1766 |
4
|
|
1990 |
| 3. |
Д. А. Гусейнова, Д. О. Гамзаев, А. М. Кулибеков, Р. А. Сулейманов, “Поляризационные и деформационные особенности края фундаментального поглощения GeS”, Физика твердого тела, 32:11 (1990), 3301–3305  |
|
1989 |
| 4. |
Ф. М. Гашимзаде, Д. А. Гусейнова, А. М. Алиев, “Распределение заряда и химическая связь в селениде германия”, Физика твердого тела, 31:3 (1989), 21–24 |
|
1987 |
| 5. |
Ф. М. Гашимзаде, Д. А. Гусейнова, Г. С. Оруджев, “Деформационные потенциалы краев зон слоистых полупроводниковых
соединений A$^{\text{IV}}$B$^{\text{VI}}$”, Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987), 1732–1734 |
|
1986 |
| 6. |
Ф. М. Гашимзаде, Д. А. Гусейнова, А. М. Алиев, “Распределение плотности валентных электронов в GeSe”, Физика твердого тела, 28:1 (1986), 275–277 |
|
1985 |
| 7. |
Ф. М. Гашимзаде, Д. А. Гусейнова, Д. Г. Гулиев, “Зонные представления пространственной группы слоистых кристаллов А$^{4}$В$^{6}$”, Физика твердого тела, 27:7 (1985), 2098–2100 |
| 8. |
Д. А. Гусейнова, А. М. Кулибеков, Г. С. Оруджев, “Непрямой экситон в селениде германия”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 2059–2061 |
| 9. |
Д. А. Гусейнова, Г. З. Кривайте, М. М. Мамедов, “Спектры поглощения SnSe вблизи прямого края”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1501–1503 |
| 10. |
Г. Р. Валюконис, Д. А. Гусейнова, Г. З. Кривайте, А. Ю. Шилейка, “Зависимость края поглощения SnSe от гидростатического давления”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 282–285 |
|
1983 |
| 11. |
Д. А. Гусейнова, А. М. Кулибеков, И. К. Нейманзаде, “Экситонный край поглощения монокристаллов
GeSe”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 738–740 |
|
Обратная связь: