Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 7, страницы 699–701
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46037.8602 (Mi phts5775) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Фотопорог слоистого кристалла $\alpha$-GeS: расчет из первых принципов

З. А. Джахангирлиab, Ф. М. Гашимзадеa, Д. А. Гусейноваa, Б. Г. Мехтиевa, Н. Б. Мустафаевa

a Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
b Азербайджанский технический университет, г. Баку
PDF полного текста (189 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46037.8602
Аннотация: Из первых принципов на основе метода функционала плотности рассчитан фотопорог слоистого кристалла $\alpha$-GeS в зависимости от его толщины. Для моделирования кристалла конечной толщины использовался метод периодических пластин. Две соседние кристаллические пластины, состоящие из нескольких слоев, разделялись вакуумом толщиной в 4 слоя, что соответствует удвоенному размеру элементарной ячейки объемного кристалла. Показано, что при толщине кристалла более 10 слоев величина фотопорога практически не меняется.
Поступила в редакцию: 04.04.2017
Принята в печать: 29.11.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 7, Pages 840–842
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618070060
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: З. А. Джахангирли, Ф. М. Гашимзаде, Д. А. Гусейнова, Б. Г. Мехтиев, Н. Б. Мустафаев, “Фотопорог слоистого кристалла $\alpha$-GeS: расчет из первых принципов”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 699–701; Semiconductors, 52:7 (2018), 840–842
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{JahGasGus18}
\by З.~А.~Джахангирли, Ф.~М.~Гашимзаде, Д.~А.~Гусейнова, Б.~Г.~Мехтиев, Н.~Б.~Мустафаев
\paper Фотопорог слоистого кристалла $\alpha$-GeS: расчет из первых принципов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 699--701
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5775}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46037.8602}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269397}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 840--842
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618070060}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5775
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i7/p699
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024