|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
З. А. Джахангирли, Ф. М. Гашимзаде, Д. А. Гусейнова, Б. Г. Мехтиев, Н. Б. Мустафаев, “Фотопорог слоистого кристалла $\alpha$-GeS: расчет из первых принципов”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 699–701   ; Z. A. Jahangirli, F. M. Gashumzade, D. A. Guseinova, B. G. Mehdiyev, N. B. Mustafaev, “Photothreshold of an $\alpha$-GeS layered crystal: first-principles calculation”, Semiconductors, 52:7 (2018), 840–842 |
1
|
|
2016 |
| 2. |
З. А. Джахангирли, Ф. М. Гашимзаде, Д. А. Гусейнова, Б. Г. Мехтиев, Н. Б. Мустафаев, “Расчет из первых принципов фотопорога слоистого кристалла $\beta$-GaS”, Физика твердого тела, 58:9 (2016), 1707–1708 ; Z. A. Jahangirli, F. M. Gashumzade, D. A. Guseinova, B. G. Mehdiyev, N. B. Mustafaev, “First-principles calculation of the photothreshold of a $\beta$-GaS layered crystal”, Phys. Solid State, 58:9 (2016), 1764–1766 |
4
|
|
1991 |
| 3. |
Ф. М. Гашимзаде, Р. С. Надирзаде, Т. Г. Исмаилов, “Резонансное экситонное комбинационное рассеяние света в полумагнитном полупроводнике”, Физика твердого тела, 33:10 (1991), 2861–2867  |
|
1990 |
| 4. |
Ф. М. Гашимзаде, Р. С. Надирзаде, Т. Г. Исмаилов, В. И. Белецкий, С. Т. Павлов, “Резонансное межзонное комбинационное рассеяние света в полумагнитном
полупроводнике”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 673–677 |
|
1989 |
| 5. |
Ф. М. Гашимзаде, Д. А. Гусейнова, А. М. Алиев, “Распределение заряда и химическая связь в селениде германия”, Физика твердого тела, 31:3 (1989), 21–24 |
|
1988 |
| 6. |
А. Т. Гаджиев, Ф. М. Гашимзаде, Н. Б. Мустафаев, “Поглощение света свободными носителями в тонких пленках висмута”, Физика твердого тела, 30:10 (1988), 3146–3148 |
| 7. |
Ф. М. Гашимзаде, Э. В. Тагиров, “Поглощение света свободными носителями заряда в многодолинных
полупроводниковых пленках”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1328–1330 |
|
1987 |
| 8. |
Ф. М. Гашимзаде, Д. А. Гусейнова, Г. С. Оруджев, “Деформационные потенциалы краев зон слоистых полупроводниковых
соединений A$^{\text{IV}}$B$^{\text{VI}}$”, Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987), 1732–1734 |
|
1986 |
| 9. |
Ф. М. Гашимзаде, Д. А. Гусейнова, А. М. Алиев, “Распределение плотности валентных электронов в GeSe”, Физика твердого тела, 28:1 (1986), 275–277 |
|
1985 |
| 10. |
Ф. М. Гашимзаде, Б. Р. Гаджиев, К. Р. Аллахвердиев, Р. М. Сардарлы, В. Я. Штейншрайбер, “Диэлектрическая проницаемость TlGaSe$_{2}$ в несоразмерной фазе”, Физика твердого тела, 27:8 (1985), 2286–2290 |
| 11. |
Ф. М. Гашимзаде, Д. А. Гусейнова, Д. Г. Гулиев, “Зонные представления пространственной группы слоистых кристаллов А$^{4}$В$^{6}$”, Физика твердого тела, 27:7 (1985), 2098–2100 |
|
1969 |
| 12. |
Ф. М. Гашимзаде, Ю. М. Сеидов, “Спектр элементарных возбуждений в магнитоупорядоченных кристаллах (карбонаты переходных металлов)”, УФН, 99:3 (1969), 507–508 ; F. M. Gashumzade, Yu. M. Seidov, “Spectrum of elementary excitations in magnetically ordered crystals (carbonates of transition metals)”, Phys. Usp., 12:6 (1970), 795 |
|
Обратная связь: