|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
С. В. Михайлович, А. Ю. Павлов, К. Н. Томош, Ю. В. Федоров, “Низкоэнергетическое бездефектное сухое травление барьерного слоя HEMT AlGaN/AlN/GaN”, Письма в ЖТФ, 44:10 (2018), 61–67   ; S. V. Mikhailovich, A. Yu. Pavlov, K. N. Tomosh, Yu. V. Fedorov, “Low-energy defectless dry etching of the AlGaN/AlN/GaN HEMT barrier layer”, Tech. Phys. Lett., 44:5 (2018), 435–437 |
8
|
|
1996 |
| 2. |
В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, А. В. Гук, Ю. В. Хабаров, “Оптические свойства двумерного электронного газа в гетероструктурах $\mathrm{AlGaAs}/\mathrm{GaAs}$”, Докл. РАН, 348:5 (1996), 608–610 |
| 3. |
Ю. В. Гуляев, В. Г. Мокеров, А. В. Гук, Ю. В. Федоров, Ю. В. Хабаров, “Фотолюминесценция трехмерных и двумерных носителей в гетероструктурах
$\mathrm{N}$–$\mathrm{AlGaAs}/\mathrm{GaAs}$”, Докл. РАН, 348:1 (1996), 42–44 |
|
1993 |
| 4. |
В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, И. Н. Котельников, Ю. В. Федоров, “Влияние состояния поверхности $\mathrm{GaAs}$ перед осаждением $\mathrm{Si}$ на процесс $\delta$-легирования”, Докл. РАН, 332:5 (1993), 575–577 |
|
Обратная связь: