|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
В. И. Николаев, А. И. Печников, Л. И. Гузилова, А. В. Чикиряка, М. П. Щеглов, В. В. Николаев, С. И. Степанов, А. А. Васильев, И. В. Щемеров, А. Я. Поляков, “Толстые эпитаксиальные слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ : Sn на профилированной сапфировой подложке”, Письма в ЖТФ, 46:5 (2020), 27–29   ; V. I. Nikolaev, A. I. Pechnikov, L. I. Guzilova, A. V. Chikiryaka, M. P. Scheglov, V. V. Nikolaev, S. I. Stepanov, A. A. Vasil'ev, I. V. Shchemerov, A. Ya. Polyakov, “Thick epitaxial $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ : Sn layers on a patterned sapphire substrate”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 228–230 |
6
|
|
1992 |
| 2. |
B. C. Векшина, Д. Г. Летенко, О. В. Нагибин, А. Я. Поляков, А. Б. Федорцов, Ю. В. Чуркин, “Влияние выращивания в магнитном поле на электрофизические
и рекомбинационные характеристики антимонида индия”, Письма в ЖТФ, 18:2 (1992), 21–25 |
|
1991 |
| 3. |
Д. Г. Летенко, Е. В. Молодцова, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, А. Н. Попков, А. БФедорцов, Ю. В. Чуркин, “Влияние атомарного водорода на время жизни неравновесных носителей
заряда в антимониде индия”, Физика и техника полупроводников, 25:12 (1991), 2132–2134 |
|
1990 |
| 4. |
А. В. Марков, Э. М. Омельяновский, В. Б. Освенский, А. Я. Поляков, М. В. Тишкин, “Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом
Чохральского с добавлением кислорода”, Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990), 507–511 |
|
1989 |
| 5. |
Л. В. Дружинина, Е. В. Молодцова, Е. А. Кожухова, А. Я. Поляков, А. Н. Попков, М. В. Тишкин, А. Л. Шленский, “Изучение спектра глубоких центров в антимониде индия методом РСГУ”, Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989), 2088–2090 |
| 6. |
Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, Г. В. Шепекина, “Пассивация доноров и акцепторов в тройных и четверных растворах
системы InGaAsP с помощью атомарного водорода”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1711–1713 |
| 7. |
Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, Г. В. Шепекина, “Пассивация акцепторных центров в фосфиде индия атомарным водородом”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1267–1269 |
| 8. |
Э. М. Омельяновский, А. Я. Поляков, М. В. Тишкин, “Сравнение параметров глубоких центров в высокоомных полупроводниках
при измерении методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии
в вариантах температурного и частотного сканирования”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 725–727 |
| 9. |
Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, О. М. Бородина, “О диффузии водорода в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 178–180 |
|
1988 |
| 10. |
Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, О. М. Бородина, И. И. Наливайко, “К вопросу о механизме пассивации мелких доноров в арсениде галлия
атомарным водородом”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988), 2217–2218 |
| 11. |
Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, “Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1892–1894 |
| 12. |
Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, А. В. Говорков, О. М. Бородина, А. С. Брук, “Факторы, определяющие профиль пассивации дефектов при введении
атомарного водорода в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1203–1207 |
| 13. |
А. В. Марков, Э. М. Омельяновский, В. Б. Освенский, А. Я. Поляков, И. А. Ковальчук, В. И. Райхштейн, М. В. Тишкин, “Влияние дислокаций на распределение глубоких центров
в полуизолирующем GaAs”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 44–48 |
|
1987 |
| 14. |
А. А. Балмашнов, К. С. Голованивский, Э. К. Кампс, Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, “Пассивация электрически активных центров в арсениде галлия в магнитоактивной микроволновой водородной плазме”, Докл. АН СССР, 297:3 (1987), 580–584 |
| 15. |
А. И. Белогорохов, Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, “О природе тонкой структуры в спектрах решеточного отражения арсенида галлия”, Физика твердого тела, 29:10 (1987), 2886–2889  |
| 16. |
Ю. Н. Большева, Ю. А. Григорьев, Э. М. Омельяновский, В. Б. Освенский, А. Я. Поляков, М. В. Тишкин, “О поведении ванадия в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2024–2027 |
| 17. |
Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, Л. В. Куликова, “Пассивация мелких примесных центров в арсениде галлия с помощью
атомарного водорода”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1762–1764 |
| 18. |
Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, “Влияние атомарного водорода на свойства арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 842–847 |
| 19. |
А. В. Говорков, Э. М. Омельяновский, А. Я. Поляков, В. И. Райхштейн, В. А. Фридман, “Новый метод исследования микронеоднородности локальных центров в высокоомных полупроводниковых материалах с использованием РЭМ”, Письма в ЖТФ, 13:7 (1987), 385–388 |
|
1986 |
| 20. |
Э. М. Омельяновский, А. Я. Поляков, Н. С. Рытова, В. И. Райхштейн, “Об определении параметров глубоких центров в высокоомных
полупроводниках методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии
глубоких уровней
(ФЭРСГУ)”, Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986), 1428–1432 |
| 21. |
А. А. Балмашнов, К. С. Голованивский, Э. К. Кампс, Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, “Пассивация электрически активных центров в арсениде галлия потоком водородной плазмы”, Письма в ЖТФ, 12:24 (1986), 1486–1489 |
|
1985 |
| 22. |
А. М. Лошинский, Э. М. Омельяновский, А. Я. Поляков, “О природе полосы фотолюминесценции с энергией 1.14 эВ в кристаллах
InP”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 1986–1990 |
| 23. |
В. А. Курбатов, Э. М. Омельяновский, А. Я. Поляков, В. И. Райхштейн, В. В. Каратаев, А. Я. Нашельский, С. В. Якобсон, “Поглощение квантов с энергией, меньшей оптической энергии ионизации
примеси в фосфиде индия, легированном марганцем”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985), 1763–1767 |
| 24. |
В. П. Кузнецов, Э. М. Омельяновский, А. Я. Поляков, В. А. Фридман, Г. В. Шепекина, “Исследование спектра глубоких уровней в эпитаксиальных структурах
методом релаксационной спектроскопии фотоиндуцированных токов”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 735–737 |
|
1984 |
| 25. |
Р. И. Глориозова, С. П. Гришина, Л. И. Колесник, Э. М. Омельяновский, А. Я. Поляков, “К вопросу о природе некоторых электронных ловушек в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1450–1454 |
|
Обратная связь: