|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Н. Д. Жуков, М. В. Гавриков, “СТМ-параметрия полупроводниковых коллоидных квантовых точек”, Междунар. науч.-исслед. журн., 2021, № 8(110), 19–27  |
| 2. |
Н. Д. Жуков, С. Н. Штыков, М. В. Гавриков, С. А. Лазарев, О. Ю. Цветкова, “Исследование структурно-физических свойств коллоидных квантовых точек узкозонных полупроводников методами электронной и сканирующей зондовой микроскопии”, Междунар. науч.-исслед. журн., 2021, № 7(109), 26–34 |
| 3. |
V. F. Kabanov, A. I. Mikhailov, M. V. Gavrikov, “Analysis of the energy spectrum of indium antimonide quantum dots with temperature changes”, Наносистемы: физика, химия, математика, 12:1 (2021), 113–117   |
| 4. |
Н. Д. Жуков, М. В. Гавриков, В. Ф. Кабанов, И. Т. Ягудин, “Одноэлектронный эмиссионно-инжекционный транспорт в микроструктуре с коллоидными квантовыми точками узкозонных полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 319–325 ; N. D. Zhukov, M. V. Gavrikov, V. F. Kabanov, I. T. Yagudin, “Single-electron emission-injection transport in a microstructure with colloidal quantum dots of narrow-gap semiconductors”, Semiconductors, 55:5 (2021), 470–475 |
2
|
| 5. |
В. Ф. Кабанов, А. И. Михайлов, М. В. Гавриков, “Исследование электрофизических свойств квантовых точек антимонида индия: значение формы”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 237–240 ; V. F. Kabanov, A. I. Mikhailov, M. V. Gavrikov, “Shape effect on the electrical properties of indium-antimonide quantum dots”, Semiconductors, 55:3 (2021), 315–318 |
1
|
| 6. |
В. Ф. Кабанов, А. И. Михайлов, М. В. Гавриков, “Термоавтоэлектронная эмиссия из квантовых точек антимонида индия”, Письма в ЖТФ, 47:8 (2021), 44–46 ; V. F. Kabanov, A. I. Mikhailov, M. V. Gavrikov, “Thermionic emission from indium antimonide quantum dots”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 385–387 |
1
|
|
2020 |
| 7. |
Н. Д. Жуков, М. В. Гавриков, Д. В. Крыльский, “Одноэлектронный транспорт в коллоидных квантовых точках узкозонных полупроводников”, Письма в ЖТФ, 46:17 (2020), 47–50 ; N. D. Zhukov, M. V. Gavrikov, D. V. Krylsky, “Single-electron transport in colloidal quantum dots of narrow-gap semiconductors”, Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 881–884 |
1
|
| 8. |
А. И. Михайлов, В. Ф. Кабанов, М. В. Гавриков, “Исследование электрофизических свойств коллоидных квантовых точек антимонида индия”, Письма в ЖТФ, 46:7 (2020), 36–38 ; A. I. Mikhailov, V. F. Kabanov, M. V. Gavrikov, “Study of the electrophysical properties of colloidal indium antimonide quantum dots”, Tech. Phys. Lett., 46:4 (2020), 339–341 |
2
|
|
2019 |
| 9. |
A. I. Mikhailov, V. F. Kabanov, M. V. Gavrikov, “Methodology of analyzing the InSb semiconductor quantum dots parameters”, Наносистемы: физика, химия, математика, 10:6 (2019), 720–724 |
| 10. |
М. И. Шишкин, М. В. Гавриков, И. Т. Ягудин, А. Г. Роках, “Особенности транспорта электронов и фотопроводимости в слое наноразмерных частиц сульфида свинца”, Письма в ЖТФ, 45:8 (2019), 3–6 ; M. I. Shishkin, M. V. Gavrikov, I. T. Yagudin, A. G. Rokakh, “Features of electron transport and photoconductivity in the layer of nanoscale lead sulfide particles”, Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 370–373 |
2
|
| 11. |
М. В. Гавриков, Н. Д. Жуков, Д. С. Мосияш, А. А. Хазанов, “Электронно-эмиссионные свойства полупроводниковых субмикронных частиц”, Письма в ЖТФ, 45:1 (2019), 46–49 ; M. V. Gavrikov, N. D. Zhukov, D. S. Mosiyash, A. A. Khazanov, “Electron emission properties of submicron semiconductor particles”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1230–1233 |
|
2018 |
| 12. |
A. I. Mikhailov, V. F. Kabanov, E. G. Glukhovskoy, M. I. Shishkin, M. V. Gavrikov, “Methodology of analyzing the CdSe semiconductor quantum dots parameters”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:4 (2018), 464–467 |
1
|
|
Обратная связь: