|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, Н. А. Смирнов, А. Ф. Цацульников, “Влияние смешивания электронных состояний электронно-колебательным
взаимодействием на строение и пьезоспектроскопические свойства
ян-теллеровских акцепторов в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 1976–1985  |
| 2. |
Н. С. Аверкиев, Т. К. Аширов, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, А. Ф. Цацульников, “Стабилизация ориентации ян-теллеровских искажений
акцептора Au$^{0}_{\text{Ga}}$ в GaAs при низких температурах
и переориентация центра в процессе рекомбинации”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 1967–1975 |
| 3. |
Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, М. А. Рещиков, В. Е. Седов, В. Р. Сосновский, “Оптическая анизотропия центра, вызывающего полосу фотолюминесценции
с максимумом вблизи 1.18 эВ в GaAs : Te. II. Влияние одноосного давления
на фотолюминесценцию центра”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 58–66 |
| 4. |
Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, М. А. Рещиков, В. Е. Седов, В. Р. Сосновский, “Оптическая анизотропия центра, вызывающего полосу фотолюминесценции
с максимумом вблизи 1.18 эВ в GaAs : Te. I. Поляризованная фотолюминесценция”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 50–57 |
|
1990 |
| 5. |
Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, А. Ф. Цацульников, “Оценка величины статического искажения и нелинейности ян-теллеровского взаимодействия для глубокого центра Cu$_{Ga}$ в GaAs”, Физика твердого тела, 32:9 (1990), 2667–2676  |
1
|
|
1989 |
| 6. |
Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, А. Ф. Цацульников, “Ag$_{\text{Ga}}$ — новый ян-теллеровский акцептор в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989), 2072–2074 |
|
1988 |
| 7. |
Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, А. Ф. Цацульников, “Динамика выстраивания ян-теллеровских центров Cu$_{\text{Ga}}$ в GaAs при давлении вдоль оси [001]”, Физика твердого тела, 30:5 (1988), 1459–1465 |
|
1987 |
| 8. |
Н. С. Аверкиев, З. А. Адамия, Д. И. Аладашвили, Т. К. Аширов, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, “Константы деформационного потенциала и зарядовое состояние
ян-теллеровского центра Cu$_{\text{Ga}}$ в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 421–426 |
| 9. |
Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, “Адиабатические потенциалы и примесная фотолюминесценция связывающего
две дырки глубокого ян-теллеровского центра при одноосном давлении”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 415–420 |
|
1986 |
| 10. |
А. М. Афанасьев, В. Е. Седов, “Об аномальных мёссбауэровских спектрах сверхтонкой структуры суперпарамагнитных частиц”, Докл. АН СССР, 289:6 (1986), 1350–1355 |
2
|
| 11. |
Н. С. Аверкиев, Т. К. Аширов, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, “Размягчение кристалла $p{-}$GaAs, обусловленное глубокими Ян-Теллеровскими центрами Cu”, Физика твердого тела, 28:10 (1986), 2959–2963 |
1
|
| 12. |
В. Е. Седов, “Мёссбауэровские спектры при ограниченной прыжковой диффузии в кубическом окружении”, Физика твердого тела, 28:5 (1986), 1353–1359 |
|
1985 |
| 13. |
Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, А. А. Исаков, Э. М. Магеррамов, В. Е. Седов, “Исследование полосы фотолюминесценции с максимумом около
1.3 эВ в GaAs : Те : Сu пьезоспектроскопическим методом”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 893–898 |
|
Обратная связь: