|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
Н. В. Гапоненко, Р. Т. Махмутов, Е. И. Лашковская, Е. В. Телеш, К. В. Шустикова, В. А. Ковалев, Ю. В. Радюш, Д. В. Жигулин, В. А. Пилипенко, А. В. Семченко, “Тонкопленочный конденсатор на основе титаната бария, сформированного золь-гель методом на титане”, ПФМТ, 2024, № 3(60), 7–12  |
|
2022 |
| 2. |
В. В. Васькевич, Д. Л. Коваленко, В. Е. Гайшун, В. В. Сидский, Я. А. Косенок, Д. В. Жигулин, “Электрофизические свойства диэлектрических золь-гель покрытий на основе диоксида кремния”, ПФМТ, 2022, № 2(51), 12–17 |
|
2020 |
| 3. |
В. В. Васькевич, В. Е. Гайшун, Д. Л. Коваленко, Сунгвок Мин, М. И. Москвичёв, А. Н. Петлицкий, Д. В. Жигулин, “Диэлектрические золь-гель покрытия на основе диоксида кремния для планаризации поверхности интегральных микросхем”, ПФМТ, 2020, № 4(45), 7–14 |
1
|
|
2019 |
| 4. |
Е. В. Луценко, Н. В. Ржеуцкий, А. Г. Войнилович, И. Е. Свитенков, А. В. Нагорный, В. А. Шуленкова, Г. П. Яблонский, А. Н. Алексеев, С. И. Петров, Я. А. Соловьёв, А. Н. Петлицкий, Д. В. Жигулин, В. А. Солодуха, “Стимулированное излучение эпитаксиальных слоев AlGaN, выращенных методом аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках сапфира”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 540–544  [E. V. Lutsenko, N. V. Rzheutskii, A. G. Voinilovich, I. E. Svitsiankou, A. V. Nagorny, V. A. Shulenkova, G. P. Yablonskii, A. N. Alekseev, S. I. Petrov, Ya. A. Solov'ev, A. N. Pyatlitski, D. V. Zhigulin, V. A. Solodukha, “Stimulated emission of AlGaN layers grown on sapphire substrates using ammonia molecular beam epitaxy”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 540–544   ] |
3
|
|
Обратная связь: