Проблемы физики, математики и техники
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ПФМТ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Проблемы физики, математики и техники, 2020, выпуск 4(45), страницы 7–14 (Mi pfmt736)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

ФИЗИКА

Диэлектрические золь-гель покрытия на основе диоксида кремния для планаризации поверхности интегральных микросхем

В. В. Васькевичa, В. Е. Гайшунa, Д. Л. Коваленкоa, Сунгвок Минb, М. И. Москвичёвa, А. Н. Петлицкийc, Д. В. Жигулинc

a Гомельский государственный университет им. Ф. Скорины
b Университет Кёнги, Сеул
c «Белмикроанализ» филиала НТЦ «Белмикросистемы» ОАО «ИНТЕГРАЛ», Минск
PDF полного текста (1760 kB) Список цитирования (1)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Исследованы условия формирования золь-гель покрытий для планаризации поверхности в зависимости от состава пленкообразующего раствора. Определены оптимальные режимы нанесения пленкообразующего раствора методом центрифугирования. Экспериментальным путем подобраны режимы термообработки полученных покрытий, и установлено влияние термообработки на толщину и сплошность формируемых покрытий. Проведены исследования шероховатости и планаризации поверхности алюминиевой металлизации интегральной схемы, с помощью получаемых золь-гель покрытий, методами профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии. Для анализа однородности структуры слоев золь-гель покрытий проведены исследования планарности и толщины с использованием растрового электронного микроскопа.
Ключевые слова: пленкообразующий раствор, золь-гель, термообработка, толщина покрытия, профилограмма, планаризация.
Финансовая поддержка Номер гранта
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований Т19КОР-002
Работа выполнена при поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (№ Т19КОР-002).
Поступила в редакцию: 18.10.2020
Тип публикации: Статья
УДК: 546.8, 661.682
Образец цитирования: В. В. Васькевич, В. Е. Гайшун, Д. Л. Коваленко, Сунгвок Мин, М. И. Москвичёв, А. Н. Петлицкий, Д. В. Жигулин, “Диэлектрические золь-гель покрытия на основе диоксида кремния для планаризации поверхности интегральных микросхем”, ПФМТ, 2020, № 4(45), 7–14
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VasGaiKov20}
\by В.~В.~Васькевич, В.~Е.~Гайшун, Д.~Л.~Коваленко, Сунгвок~Мин, М.~И.~Москвичёв, А.~Н.~Петлицкий, Д.~В.~Жигулин
\paper Диэлектрические золь-гель покрытия на основе диоксида кремния для планаризации поверхности интегральных микросхем
\jour ПФМТ
\yr 2020
\issue 4(45)
\pages 7--14
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pfmt736}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pfmt736
  • https://www.mathnet.ru/rus/pfmt/y2020/i4/p7
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Проблемы физики, математики и техники
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:116
    PDF полного текста:90
    Список литературы:28
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024