|
Проблемы физики, математики и техники, 2020, выпуск 4(45), страницы 7–14
(Mi pfmt736)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
ФИЗИКА
Диэлектрические золь-гель покрытия на основе диоксида кремния для планаризации поверхности интегральных микросхем
В. В. Васькевичa, В. Е. Гайшунa, Д. Л. Коваленкоa, Сунгвок Минb, М. И. Москвичёвa, А. Н. Петлицкийc, Д. В. Жигулинc a Гомельский государственный университет им. Ф. Скорины
b Университет Кёнги, Сеул
c «Белмикроанализ» филиала НТЦ «Белмикросистемы» ОАО «ИНТЕГРАЛ», Минск
Аннотация:
Исследованы условия формирования золь-гель покрытий для планаризации поверхности в зависимости от состава
пленкообразующего раствора. Определены оптимальные режимы нанесения пленкообразующего раствора методом
центрифугирования. Экспериментальным путем подобраны режимы термообработки полученных покрытий, и установлено влияние термообработки на толщину и сплошность формируемых покрытий. Проведены исследования шероховатости и планаризации поверхности алюминиевой металлизации интегральной схемы, с помощью получаемых
золь-гель покрытий, методами профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии. Для анализа однородности
структуры слоев золь-гель покрытий проведены исследования планарности и толщины с использованием растрового
электронного микроскопа.
Ключевые слова:
пленкообразующий раствор, золь-гель, термообработка, толщина покрытия, профилограмма, планаризация.
Поступила в редакцию: 18.10.2020
Образец цитирования:
В. В. Васькевич, В. Е. Гайшун, Д. Л. Коваленко, Сунгвок Мин, М. И. Москвичёв, А. Н. Петлицкий, Д. В. Жигулин, “Диэлектрические золь-гель покрытия на основе диоксида кремния для планаризации поверхности интегральных микросхем”, ПФМТ, 2020, № 4(45), 7–14
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pfmt736 https://www.mathnet.ru/rus/pfmt/y2020/i4/p7
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 97 | PDF полного текста: | 80 | Список литературы: | 18 |
|