|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
М. С. Леоненя, А. В. Нагорный, Б. Д. Урманов, В. А. Шуленкова, Г. П. Яблонский, “Стабильный режим генерации лазерного излучения в микропорошках CdSSe”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 552–555   [M. S. Leanenia, A. V. Nagorny, B. D. Urmanov, V. A. Shulenkova, G. P. Yablonskii, “Stable random lasing in CdSSe micropowders”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 552–555   ] |
1
|
| 2. |
Е. В. Луценко, Н. В. Ржеуцкий, А. Г. Войнилович, И. Е. Свитенков, А. В. Нагорный, В. А. Шуленкова, Г. П. Яблонский, А. Н. Алексеев, С. И. Петров, Я. А. Соловьёв, А. Н. Петлицкий, Д. В. Жигулин, В. А. Солодуха, “Стимулированное излучение эпитаксиальных слоев AlGaN, выращенных методом аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках сапфира”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 540–544 [E. V. Lutsenko, N. V. Rzheutskii, A. G. Voinilovich, I. E. Svitsiankou, A. V. Nagorny, V. A. Shulenkova, G. P. Yablonskii, A. N. Alekseev, S. I. Petrov, Ya. A. Solov'ev, A. N. Pyatlitski, D. V. Zhigulin, V. A. Solodukha, “Stimulated emission of AlGaN layers grown on sapphire substrates using ammonia molecular beam epitaxy”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 540–544 ] |
3
|
| 3. |
Е. В. Луценко, Н. В. Ржеуцкий, А. В. Нагорный, А. В. Данильчик, Д. В. Нечаев, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Стимулированное излучение, фотолюминесценция и локализация неравновесных носителей заряда в сверхтонких (монослойных) квантовых ямах GaN/AlN”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 535–539 [E. V. Lutsenko, N. V. Rzheutskii, A. V. Nagorny, A. V. Danil'chik, D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, “Stimulated emission, photoluminescence, and localisation of nonequilibrium charge carriers in ultrathin (monolayer) GaN/AlN quantum wells”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 535–539 ] |
4
|
|
Обратная связь: