|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Г. С. Патрин, И. А. Турпанов, В. И. Юшков, А. В. Кобяков, К. Г. Патрин, Г. Ю. Юркин, Я. А. Живая, “Влияние полупроводниковой прослойки на эффект положительного обменного смещения в трехслойной структуре CoNi/Si/FeNi”, Письма в ЖЭТФ, 109:5 (2019), 325–330   ; G. S. Patrin, I. А. Turpanov, V. I. Yushkov, A. V. Kobyakov, K. G. Patrin, G. Yu. Yurkin, Ya. A. Zhivaya, “Effect of the semiconductor spacer on positive exchange bias in the CoNi/Si/FeNi three-layer structure”, JETP Letters, 109:5 (2019), 320–324   |
3
|
|
Обратная связь: