Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2019, том 109, выпуск 5, страницы 325–330
DOI: https://doi.org/10.1134/S0370274X19050084 (Mi jetpl5841) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Влияние полупроводниковой прослойки на эффект положительного обменного смещения в трехслойной структуре CoNi/Si/FeNi

Г. С. Патринab, И. А. Турпановa, В. И. Юшковba, А. В. Кобяковab, К. Г. Патринa, Г. Ю. Юркинa, Я. А. Живаяa

a Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия
b Институт физики им. Л. В. Киренского Федеральный исследовательский центр Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН, 660036 Красноярск, Россия
PDF полного текста (689 kB) Список цитирования (3)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.1134/S0370274X19050084
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований пленок в системе магнитожесткий ферромагнетик (CoNi) – магнитомягкий ферромагнетик (FeNi), взаимодействующих через немагнитную полупроводниковую прослойку кремния (Si). Проведены температурные и полевые исследования магнитных свойств пленочных структур с различными толщинами кремния. Обнаружено, что многослойная структура наряду со свойствами, присущими магнитным пружинам, проявляет эффект положительного обменного смещения, зависящим от толщины кремния.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00161_а
Настоящие исследования ведутся при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант # 18-02-00161-а).
Поступила в редакцию: 21.09.2018
Исправленный вариант: 14.12.2018
Принята в печать: 25.12.2018
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2019, Volume 109, Issue 5, Pages 320–324
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364019050126
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. С. Патрин, И. А. Турпанов, В. И. Юшков, А. В. Кобяков, К. Г. Патрин, Г. Ю. Юркин, Я. А. Живая, “Влияние полупроводниковой прослойки на эффект положительного обменного смещения в трехслойной структуре CoNi/Si/FeNi”, Письма в ЖЭТФ, 109:5 (2019), 325–330; JETP Letters, 109:5 (2019), 320–324
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PatTurYus19}
\by Г.~С.~Патрин, И.~А.~Турпанов, В.~И.~Юшков, А.~В.~Кобяков, К.~Г.~Патрин, Г.~Ю.~Юркин, Я.~А.~Живая
\paper Влияние полупроводниковой прослойки на эффект положительного обменного смещения в трехслойной структуре CoNi/Si/FeNi
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2019
\vol 109
\issue 5
\pages 325--330
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5841}
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0370274X19050084}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37090928}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2019
\vol 109
\issue 5
\pages 320--324
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364019050126}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000468338500008}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85065859581}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5841
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v109/i5/p325
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:426
    PDF полного текста:59
    Список литературы:26
    Первая страница:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024