|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
И. Е. Тысченко, M. Voelskow, Сы Чжунбинь, В. П. Попов, “Диффузия атомов In в пленках SiO$_{2}$, имплантированных ионами As$^{+}$”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 217–223   ; I. E. Tyschenko, M. Voelskow, Si. Zh, V. P. Popov, “Diffusion of In atoms in SiO$_{2}$ films implanted with As$^{+}$ ions”, Semiconductors, 55:3 (2021), 289–295 |
|
2019 |
| 2. |
А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, Н. П. Степина, А. В. Кацюба, А. В. Двуреченский, А. К. Гутаковский, Л. В. Кулик, А. С. Богомяков, С. Б. Эренбург, С. В. Трубина, М. Фёльсков, “Электронный парамагнитный резонанс в Ge/Si гетероструктурах с квантовыми точками, легированными марганцем”, Письма в ЖЭТФ, 109:4 (2019), 258–264 ; A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, N. P. Stepina, A. V. Katsyuba, A. V. Dvurechenskii, A. K. Gutakovskii, L. V. Kulik, A. S. Bogomyakov, S. B. Erenburg, S. V. Trubina, M. Voelskow, “Electron paramagnetic resonance in Ge/Si heterostructures with Mn-doped quantum dots”, JETP Letters, 109:4 (2019), 270–275   |
| 3. |
И. Е. Тысченко, M. Voelskow, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, “Диффузия и взаимодействие In и As, имплантированных в пленки SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1023–1029 ; I. E. Tyschenko, M. Voelskow, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, “Diffusion and interaction of In and As implanted into SiO$_2$ films”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1004–1010 |
3
|
|
2017 |
| 4. |
И. Е. Тысченко, А. Г. Черков, В. А. Володин, M. Voelskow, “Особенности ионно-лучевого синтеза нанокристаллов Ge в тонких пленках SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1289–1294 ; I. E. Tyschenko, A. G. Cherkov, V. A. Volodin, M. Voelskow, “Specific features of the ion-beam synthesis of Ge nanocrystals in SiO$_{2}$ thin films”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1240–1246 |
1
|
|
Обратная связь: