|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
S. Nemov, B. Dzundza, L. Chernyak, Z. Dashevsky, “Photovoltaic and thermal effects at PbTe $p$–$n$ junction under CO$_2$ laser irradiation”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 834  |
| 2. |
S. Nemov, O. Kostyuk, B. Dzundza, L. Chernyak, Z. Dashevsky, “High perfection bulk and film thermoelectrics based on PbTe doped by In”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 499 |
|
2019 |
| 3. |
З. М. Дашевский, П. П. Константинов, С. Я. Скипидаров, “Новое направление применения термоэлектрических преобразователей энергии”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 875–878  ; Z. M. Dashevskii, P. P. Konstantinov, S. Ya. Skipidarov, “New direction in the application of thermoelectric energy converters”, Semiconductors, 53:7 (2019), 861–864 |
6
|
| 4. |
Н. А. Сидоренко, З. М. Дашевский, “Криогенный термоэлектрический модуль для рабочего интервала температур ниже 90 K”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 761–764 ; N. A. Sidorenko, Z. M. Dashevskii, “Cryogenic thermoelectric cooler at operating temperature below 90 K”, Semiconductors, 53:6 (2019), 752–755 |
5
|
| 5. |
Н. А. Сидоренко, З. М. Дашевский, “Эффективные кристаллы Bi–Sb для термоэлектрического охлаждения при температурах $T\lesssim$180 K”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 693–697 ; N. A. Sidorenko, Z. M. Dashevskii, “Effective Bi–Sb crystals for thermoelectric cooling at temperature $T\lesssim$ 180 K”, Semiconductors, 53:5 (2019), 686–690 |
9
|
|
1992 |
| 6. |
Н. С. Лидоренко, З. М. Дашевский, Л. Д. Дудкин, Р. В. Сколоздра, “Новые материалы для термоэлектрических источников”, Докл. РАН, 324:3 (1992), 567–570 |
| 7. |
Н. С. Лидоренко, З. М. Дашевский, С. Ашмонтас, Л. Вингялис, “Исследование термоэдс в полупроводниковых структурах халькогенидов свинца при облучении короткими лазерными импульсами”, Докл. РАН, 323:3 (1992), 475–479 |
|
1990 |
| 8. |
Н. С. Лидоренко, А. Н. Вейс, З. М. Дашевский, М. П. Руленко, “Исследование эффектов, возникающих в $\mathrm{PbTe}$ при ионной имплантации большими дозами”, Докл. АН СССР, 315:3 (1990), 600–603 |
|
1989 |
| 9. |
Н. С. Лидоренко, З. М. Дашевский, C. A. Казьмин, В. И. Кайданов, М. П. Руленко, “Влияние радиационных дефектов, вызванных ионной имплантацией, на электронные свойства $\mathrm{PbTe}$”, Докл. АН СССР, 305:4 (1989), 844–847 |
|
1988 |
| 10. |
Н. С. Лидоренко, А. М. Гаськов, З. М. Дашевский, М. П. Руленко, “Электрическая активность кислорода в теллуриде свинца”, Докл. АН СССР, 301:1 (1988), 89–91 |
| 11. |
Н. С. Лидоренко, И. И. Балмуш, З. М. Дашевский, А. И. Касиян, Н. В. Коломоец, “Термоэдс полупроводниковой $p-n-p$-гетероструктуры”, Докл. АН СССР, 299:2 (1988), 355–357 |
|
1984 |
| 12. |
В. В. Горбачев, З. М. Дашевский, Т. М. Ерусалимская, В. А. Котельников, М. П. Руленко, “Влияние кислорода на барьерные эффекты в блочных монокристаллических
пленках $p$-РbТе”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1118–1120 |
|
1981 |
| 13. |
Н. С. Лидоренко, З. М. Дашевский, В. А. Котельников, В. Ю. Слободчиков, “Электрофизические и оптические свойства гетеропереходов
$n$-$\mathrm{Pb}_{1-x}\mathrm{Sn}_x\mathrm{Te}(\mathrm{In})$–$p$-$\mathrm{PbTe}$”, Докл. АН СССР, 256:3 (1981), 580–582 |
|
1980 |
| 14. |
Н. С. Лидоренко, Л. А. Гудков, З. М. Дашевский, В. А. Котельников, Н. В. Коломоец, “Размерные эффекты в монокристаллических пленках $\mathrm{PbTe}$”, Докл. АН СССР, 250:1 (1980), 82–85 |
|
Обратная связь: