Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 6, страницы 761–764
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47723.32
(Mi phts5477)
 

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Криогенный термоэлектрический модуль для рабочего интервала температур ниже 90 K

Н. А. Сидоренко, З. М. Дашевский

ЗАО "Ферротек Норд", г. Москва
Аннотация: Рассмотрена возможность создания термоэлектрических охладителей для рабочих температур ниже 90 K. Для этих температур невозможно использовать стандартную схему термоэлемента, состоящего из двух полупроводниковых ветвей $n$- и $p$-типа проводимости, соединенных в последовательную электрическую цепь. В области криогенных температур есть единственный эффективный термоэлектрический материал $n$-типа проводимости на основе твердых растворов Bi–Sb. Для этого случая исследованы термоэлементы с термоэлектрической $n$-ветвью и пассивной ветвью на основе высокотемпературного сверхпроводника. Предложена конструкция термоэлектрического охладителя (модуля), состоящего из термоэлектрических $n$-ветвей (экструдированные кристаллы Bi$_{0.91}$Sb$_{0.09}$) и пассивных ветвей на основе высокотемпературного сверхпроводника (пленка YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$). Для увеличения термоэлектрической добротности модуля $ZT$ использовано магнитное поле. Для криогенного модуля при температуре горячих спаев $T_{h}$ = 80 K, потребляемом токе $I$ = 6.4 А и напряжении $U$ = 0.10 В получены максимальный перепад температур между горячими и холодными спаями $\Delta T>$ 13.5 K и максимальная холодопроизводительность $Q_{c}>$ 0.36 Вт.
Поступила в редакцию: 07.02.2019
Исправленный вариант: 10.02.2019
Принята в печать: 14.02.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 6, Pages 752–755
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619060216
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Сидоренко, З. М. Дашевский, “Криогенный термоэлектрический модуль для рабочего интервала температур ниже 90 K”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 761–764; Semiconductors, 53:6 (2019), 752–755
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SidDas19}
\by Н.~А.~Сидоренко, З.~М.~Дашевский
\paper Криогенный термоэлектрический модуль для рабочего интервала температур ниже 90 K
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 761--764
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5477}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47723.32}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133284}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 752--755
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619060216}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5477
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i6/p761
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:56
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024