|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Р. А. Кастро, С. Д. Ханин, А. П. Смирнов, А. А. Кононов, “Перенос заряда в планарных структурах на основе халькогенидной системы (As$_{2}$Se$_{3}$)$_{100-x}$Bi$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1664–1668   ; R. A. Castro, S. D. Khanin, A. P. Smirnov, A. A. Kononov, “Charge transfer in gap structures based on the chalcogenide system (As$_{2}$Se$_{3}$)$_{100-x}$Bi$_{x}$”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1646–1650 |
| 2. |
А. В. Ильинский, Р. А. Кастро, А. А. Кононов, М. Э. Пашкевич, И. О. Попова, Е. Б. Шадрин, “Диэлектрическая спектроскопия пленок VO$_{2}$:Ge”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 44–46 ; A. V. Ilinskiy, R. A. Castro, A. A. Kononov, M. È. Pashkevich, I. O. Popova, E. B. Shadrin, “Dielectric spectroscopy of VO$_{2}$:Ge films”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 573–575 |
4
|
|
2018 |
| 3. |
Р. А. Кастро, Н. И. Анисимова, А. А. Кононов, “Низкочастотная диэлектрическая релаксация в стеклообразной системе Ge$_{28.5}$Pb$_{15}$S$_{56.5}$ с примесью железа”, Междунар. науч.-исслед. журн., 2018, № 3(69), 15–18 |
|
2013 |
| 4. |
Р. А. Кастро, А. А. Кононов, “Диэлектрическое исследование композиционных материалов с наполнителем из сегнетоэлектрической керамики”, Междунар. науч.-исслед. журн., 2013, № 10(17), 12–14 |
|
Обратная связь: