|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Ю. В. Балакшин, А. В. Кожемяко, S. Petrovic, M. Erich, А. А. Шемухин, В. С. Черныш, “Влияние зарядового состояния ионов ксенона на профиль распределения по глубине при имплантации в кремний”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1030–1036   ; Yu. V. Balakshin, A. V. Kozhemiako, S. Petrovic, M. Erich, A. A. Shemukhin, V. S. Chernysh, “Influence of the charge state of xenon ions on the depth distribution profile upon implantation into silicon”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1011–1017 |
3
|
|
2013 |
| 2. |
S. Bellucci, Yu. A. Chesnokov, P. N. Chirkov, M. Ćosic, G. Giannini, V. A. Maisheev, S. Petrović, I. A. Yazynin, “Deflection of 100 MeV positron beam by repeated reflections in thin crystals”, Письма в ЖЭТФ, 98:11 (2013), 739–742   ; JETP Letters, 98:11 (2013), 649–651 |
3
|
|
Обратная связь: