|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
А. И. Охапкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, С. А. Краев, Е. А. Архипова, Е. В. Скороходов, П. А. Бушуйкин, В. И. Шашкин, “Плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок на поверхности монокристаллического высоколегированного алмаза”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1229–1232   ; A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, S. Korolev, S. A. Kraev, E. A. Arkhipova, E. V. Skorokhodov, P. A. Bushuikin, V. I. Shashkin, “Plasma-chemical deposition of diamond-like films onto the surface of heavily doped single-crystal diamond”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1203–1206 |
3
|
|
2017 |
| 2. |
С. А. Королев, Н. В. Востоков, Н. В. Дьяконова, В. И. Шашкин, “Влияние высоты барьера затвор–канал на характеристики детектирования полевого транзистора в сверхвысокочастотном и терагерцовом диапазонах”, ЖТФ, 87:5 (2017), 746–753 ; S. Korolev, N. V. Vostokov, N. V. D'yakonova, V. I. Shashkin, “Influence of the channel–gate barrier height on the detection properties of a field-effect transistor in the microwave and terahertz ranges”, Tech. Phys., 62:5 (2017), 765–772 |
1
|
| 3. |
А. И. Охапкин, С. А. Королев, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, “Низкотемпературное осаждение пленок SiN$_{x}$ в индуктивно-связанной плазме SiH$_{4}$/Ar + N$_{2}$ в условиях сильного разбавления силана аргоном”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1503–1506 ; A. I. Okhapkin, S. Korolev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, “Low-temperature deposition of SiN$_ x$ films in SiH$_{4}$/Ar + N$_{2}$ inductively coupled plasma under high silane dilution with argon”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1449–1452 |
2
|
|
Обратная связь: