|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Н. Л. Гревцов, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко, И. М. Гаврилин, А. А. Дронов, С. А. Гаврилов, “Влияние окисления пористого кремния на формирование нанокомпозитов пористый кремний/индий электрохимическим методом”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021), 49–51   ; N. L. Grevtsov, E. B. Chubenko, V. P. Bondarenko, I. M. Gavrilin, A. A. Dronov, S. A. Gavrilov, “The effect of porous silicon oxidation on electrochemical formation of porous silicon–indium nanocomposites”, Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 341–343 |
1
|
|
2019 |
| 2. |
Н. М. Денисов, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко, В. Е. Борисенко, “Синтез легированного кислородом графитоподобного нитрида углерода из тиомочевины”, Письма в ЖТФ, 45:3 (2019), 49–51 ; N. M. Denisov, E. B. Chubenko, V. P. Bondarenko, V. E. Borisenko, “Synthesis of oxygen-doped graphitic carbon nitride from thiourea”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 108–110 |
19
|
|
2018 |
| 3. |
Н. М. Денисов, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко, В. Е. Борисенко, “Оптические свойства многослойных золь-гель пленок оксида цинка”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 575–580 ; N. M. Denisov, E. B. Chubenko, V. P. Bondarenko, V. E. Borisenko, “Optical properties of multilayered sol–gel zinc-oxide films”, Semiconductors, 52:6 (2018), 723–728 |
6
|
|
2016 |
| 4. |
Е. Б. Чубенко, С. В. Редько, А. И. Шерстнев, В. А. Петрович, Д. А. Котов, В. П. Бондаренко, “Влияние приповерхностного слоя на электрохимическое осаждение металлов и полупроводников в мезопористый кремний”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 377–381 ; E. B. Chubenko, S. V. Red'ko, A. I. Sherstnyov, В. А. Петрович, D. A. Kotov, V. P. Bondarenko, “Influence of the surface layer on the electrochemical deposition of metals and semiconductors into mesoporous silicon”, Semiconductors, 50:3 (2016), 372–376 |
12
|
|
1986 |
| 5. |
В. П. Бондаренко, В. Е. Борисенко, В. А. Лабунов, “Диффузия мышьяка через пористый кремний при секундной термообработке
некогерентным светом”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 929–933 |
|
1984 |
| 6. |
В. П. Бондаренко, В. Е. Борисенко, Л. Ф. Горская, А. М. Дорофеев, А. Г. Дутов, “Перераспределение золота в монокристаллическом кремнии
на границе с пористым кремнием при секундном отжиге некогерентным светом”, ЖТФ, 54:10 (1984), 2021–2026  |
|
1973 |
| 7. |
Н. П. Слюсарь, А. Д. Криворотенко, Е. Н. Фомичев, А. А. Калашник, В. П. Бондаренко, “Экспериментальные исследования энтальпии окислов титана в интервале температур $500 \div 2000^{\circ}$К”, ТВТ, 11:1 (1973), 213–215 |
|
1972 |
| 8. |
В. П. Бондаренко, П. Н. Вьюгов, В. И. Змий, А. С. Княжев, “Термодинамические характеристики силицидов молибдена в интервале температур $400$–$1200^{\circ}$К”, ТВТ, 10:5 (1972), 1013–1017 |
|
1970 |
| 9. |
В. П. Бондаренко, В. И. Змий, Е. Н. Фомичев, А. А. Калашник, Н. П. Слюсарь, “Определение энтальпии и теплоемкости дисилицидов тантала и ниобия в интервале температур $1200$–$2100^{\circ}$K”, ТВТ, 8:4 (1970), 910–912 ; V. P. Bondarenko, V. I. Zmiy, E. N. Fomichev, A. A. Kalashnik, N. P. Slyusar', “Determination of the enthalpy and specific heat of tantalum and niobium disilicides in the $1200$–$2100^{\circ}$K temperature range”, High Temperature, 8:4 (1970), 856–857 |
|
Обратная связь: