В 1969 году окончил Московский энергетический институт по специальности «Полупроводниковые приборы». С 1969 года по 1991 работал на предприятии электронной промышленности НИИ «Сапфир». В 1989 году защитил кандидатскую диссертацию на тему «Ионно-лучевое травление в промышленной технологии формирования функциональных элементов СБИС ЗУ ЦМД». С 1991 года и по настоящее время В.А. Кальнов работает в Физико-технологическом институте РАН на должности старшего научного сотрудника, а с 1998 года Ученый секретарь ФТИАН. Научные интересы В. А. Кальнова связаны с разработкой и использованием в технологии микроэлектроники ВУФ-излучения, разработкой технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем с полной диэлектрической изоляцией на основе кремниевых мембран, разработкой прецизионной технологии осаждения
тонких плёнок применительно к рентгеновским зеркалам, технологией микромеханики.
М. А. Брук, Е. Н. Жихарев, Д. Р. Стрельцов, В. А. Кальнов, А. В. Спирин, А. Е. Рогожин, “Некоторые особенности нового метода формирования микрорельефа путём прямого электронно-лучевого травления резиста”, Компьютерная оптика, 39:2 (2015), 204–210