|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
Д. В. Юрасов, М. Н. Дроздов, В. Б. Шмагин, А. В. Новиков, “Исследование сегрегации сурьмы при эпитаксиальном росте на подложках Si с различной кристаллографической ориентацией”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1611–1615   ; D. V. Yurasov, M. N. Drozdov, V. B. Shmagin, A. V. Novikov, “Antimony segregation in Si layers grown by molecular beam epitaxy on Si wafers with different crystallographic orientations”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1552–1556 |
| 2. |
А. В. Мурель, В. Б. Шмагин, В. Л. Крюков, С. С. Стрельченко, Е. А. Суровегина, В. И. Шашкин, “Емкостная спектроскопия дырочных ловушек в высокоомных структурах арсенида галлия, выращенных жидкофазным методом”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1538–1542 ; A. V. Murel, V. B. Shmagin, V. L. Kryukov, S. S. Strelchenko, E. A. Surovegina, V. I. Shashkin, “Capacitance spectroscopy of hole traps in high-resistance gallium-arsenide structures grown by liquid-phase epitaxy”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1485–1489 |
1
|
|
2016 |
| 3. |
В. Б. Шмагин, С. Н. Вдовичев, Е. Е. Морозова, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник, “Электролюминесценция кремниевых МОП структур с массивами наноостровков Ge(Si)”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1497–1500 ; V. B. Shmagin, S. N. Vdovichev, E. E. Morozova, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. V. Shengurov, Z. F. Krasil'nik, “Electroluminescence from MIS silicon-based light emitters with arrays of self-assembled Ge(Si) nanoislands”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1475–1478 |
|
2014 |
| 4. |
К. Е. Кудрявцев, Д. И. Крыжков, Л. В. Красильникова, Д. В. Шенгуров, В. Б. Шмагин, Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник, “Сечение поглощения для перехода
$^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ ионов
Er$^{3+}$ в эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014), 913–918 ; K. E. Kudryavtsev, D. I. Kryzhkov, L. V. Krasil’nikova, D. V. Shengurov, V. B. Shmagin, B. A. Andreev, Z. F. Krasil'nik, “Absorption cross section for the $^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ transition of Er$^{3+}$ in Si:Er:O/SOI epitaxial layers”, JETP Letters, 100:12 (2014), 807–811   |
4
|
|
Обратная связь: