|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
В. В. Привезенцев, А. П. Сергеев, В. С. Куликаускас, Д. А. Киселев, А. Ю. Трифонов, А. Н. Терещенко, “Структура, соcтав и свойства кремния, имплантированного ионами цинка и кислорода при повышенной температуре”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1376–1382   ; V. V. Privezentsev, A. P. Sergeev, V. S. Kulikauskas, D. A. Kiselev, A. Yu. Trifonov, A. N. Tereshchenko, “Structure, content and properties of Zn and O ion hot implanted silicon”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1650–1656 |
|
2019 |
| 2. |
В. В. Привезенцев, В. С. Куликаускас, В. А. Скуратов, О. С. Зилова, А. А. Бурмистров, М. Ю. Пресняков, А. В. Горячев, “Изменение структуры и свойств приповерхностного слоя Si, имплантированного Zn, в зависимости от флюенса облучения ионами $^{132}$Xe$^{26+}$ с энергией 167 МэВ”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 332–339 ; V. V. Privezentsev, V. S. Kulikauskas, V. A. Skuratov, O. S. Zilova, A. A. Burmistrov, M. Yu. Presniakov, A. V. Goryachev, “Structure and properties of Zn-implanted Si near-surface layer modification depending on irradiation fluence of $^{132}$Xe$^{26+}$ ions with energy of 167 MeV”, Semiconductors, 53:3 (2019), 313–320 |
|
2018 |
| 3. |
В. В. Привезенцев, Е. П. Kириленко, А. В. Горячев, А. В. Лютцау, “Формирование преципитатов в Si, имплантированном ионами $^{64}$Zn$^{+}$ и $^{16}$O$^{+}$”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 827–835 ; V. V. Privezentsev, E. P. Kirilenko, A. V. Goryachev, A. V. Lutzau, “Formation of precipitates in Si implanted with $^{64}$Zn$^{+}$ and $^{16}$O$^{+}$ ions”, Semiconductors, 52:8 (2018), 961–968 |
| 4. |
V. V. Privezentsev, A. V. Makunin, A. A. Batrakov, S. V. Ksenich, A. V. Goryachev, “Nanoparticle formation in Zn$^{+}$ and O$^{+}$ ion sequentially implanted SiO$_{2}$ film”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 521 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 645–650 |
7
|
|
2017 |
| 5. |
В. В. Привезенцев, Е. П. Кириленко, А. Н. Горячев, А. А. Батраков, “Исследование кремния, легированного ионами цинка и отожженного в кислороде”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 187–192 ; V. V. Privezentsev, E. P. Kirilenko, A. N. Goryachev, A. A. Batrakov, “Study of silicon doped with zinc ions and annealed in oxygen”, Semiconductors, 51:2 (2017), 178–183 |
1
|
|
1979 |
| 6. |
М. Н. Ивановский, В. В. Привезенцев, В. П. Сорокин, Б. А. Чулков, “О непрерывности потока жидкости в артериях тепловых труб”, ТВТ, 17:2 (1979), 409–416 |
|
1977 |
| 7. |
М. Н. Ивановский, В. П. Сорокин, В. В. Привезенцев, “Влияние количества теплоносителя на работу тепловых труб с неоднородной капиллярной структурой
при отсутствии массовых сил”, ТВТ, 15:4 (1977), 873–878 |
|
1975 |
| 8. |
В. И. Субботин, М. Н. Ивановский, В. П. Сорокин, В. В. Привезенцев, А. И. Строжков, “О нарушении работоспособности тепловых труб паровыми и парогазовыми пузырями”, ТВТ, 13:6 (1975), 1225–1230 ; V. I. Subbotin, M. N. Ivanovskii, V. P. Sorokin, V. V. Privezentsev, A. I. Strozhkov, “Loss of efficiency of heat pipes due to vapor and vapor-gas bubbles”, High Temperature, 13:6 (1975), 1132–1136 |
|
Обратная связь: